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HMA851U6CJR6N-VKN0 发布时间 时间:2025/7/17 19:07:56 查看 阅读:5

HMA851U6CJR6N-VKN0 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)模块。该模块属于UDIMM(无缓冲双列直插内存模块)类型,广泛应用于桌面计算机、服务器以及高性能计算设备中。HMA851U6CJR6N-VKN0 提供了大容量存储支持,适用于需要高速数据访问和稳定性能的应用场景。

参数

容量:64GB
  内存类型:DDR4 SDRAM
  电压:1.2V
  时钟频率:3200MHz
  CAS延迟:CL22
  数据带宽:PC4-25600
  引脚数:288-pin
  模块类型:UDIMM
  工作温度:0°C 至 85°C

特性

HMA851U6CJR6N-VKN0 的主要特性之一是其高容量,单条可达64GB,为大型数据库、虚拟化环境及图形密集型应用提供了充足的数据存储空间。该模块采用DDR4技术,在提供更高带宽的同时显著降低了功耗,标准工作电压为1.2V,相较于前代DDR3产品更加节能高效。
  此外,HMA851U6CJR6N-VKN0 拥有3200MHz的时钟频率和PC4-25600的数据传输速率,能够实现更快的数据读写速度,提升系统整体响应能力。其CAS延迟为CL22,虽然比低频内存稍高,但在高频环境下仍能保持良好的性能表现。

应用

HMA851U6CJR6N-VKN0 主要用于高端台式机、工作站和服务器平台,特别适合于需要大量内存资源的专业应用场景。例如,在视频编辑、3D建模、科学计算、数据库管理等领域,该内存模块能够有效支持多任务处理和复杂运算,显著提升工作效率。此外,该模块也适用于虚拟化环境,能够为多个虚拟机实例提供充足的内存资源,保障系统的流畅运行。

替代型号

HMA851U6CJR6N-VK