TFC-110-01-L-D-K-TR 是一种基于薄膜技术制造的高精度薄膜电容,广泛应用于滤波、耦合和去耦等电路场景。这种电容器以其低ESR(等效串联电阻)、低ESL(等效串联电感)和高稳定性著称,适用于高频应用环境。
该型号的命名规则体现了其主要参数特征:TFC表示薄膜电容系列,110表示容量值为110pF,01表示额定电压为50V,L代表封装类型为径向引脚,D为温度特性代码(表明其温度系数),K表示公差为±10%,TR表示特殊处理以增强耐热性能。
容量:110pF
额定电压:50V
温度特性:D(±3300ppm/°C)
公差:±10%
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
ESR(典型值):< 5mΩ
ESL(典型值):< 1nH
封装类型:径向引脚
尺寸:φ5.0mm × 7.5mm
TFC-110-01-L-D-K-TR 具有以下显著特点:
1. 高精度:容量公差仅为±10%,能够满足对电容值要求较高的应用场景。
2. 超低ESR和ESL:使其在高频条件下表现出优异的性能,特别适合射频和高速数字电路中的滤波和耦合。
3. 温度稳定性:具备稳定的温度特性,能够在宽温范围内保持性能一致性。
4. 高可靠性:通过特殊耐热处理(TR后缀),能够承受更高的工作温度,并延长使用寿命。
5. 小型化设计:紧凑的封装形式节省了PCB空间,非常适合空间受限的设计需求。
该型号电容主要应用于以下领域:
1. 射频电路中的滤波和信号耦合。
2. 高速数字电路中的电源去耦。
3. 工业控制设备中的高频滤波。
4. 通信系统中的信号调节与匹配。
5. 医疗设备中的高精度滤波电路。
6. 汽车电子中的噪声抑制与信号处理。
TFC-110-01-L-D-J-TR
TFC-110-01-M-D-K-TR
TFC-110-01-L-D-K