工作输入电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输出电压精度：±2.0%
　　固定输出电压：3.2V
　　最大输出电流：150mA
　　静态电流（典型值）：2.0μA
　　关断电流（典型值）：0.1μA
　　负载调整率：±50mV
　　线性调整率：±50mV
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN(PLP)1515-6
　　保护功能：过流保护、过热保护
　　稳定性要求电容：≥0.47μF（陶瓷电容）
　　压差电压（Iout=100mA）：约300mV

R1131N321A-TR-FE具备多项优异的技术特性，使其在同类LDO产品中表现出色。首先，其超低静态电流设计是该芯片的一大亮点，典型值仅为2.0μA，在长时间运行的电池供电设备中可以显著降低待机功耗，从而有效延长电池寿命。这对于智能手表、无线传感器网络节点等依赖纽扣电池或小型锂电池供电的应用至关重要。其次，该器件支持使用小型片式陶瓷电容器（最小0.47μF）来保证环路稳定性，无需使用体积较大的钽电容或电解电容，这不仅降低了整体BOM成本，还节省了宝贵的PCB空间，满足现代电子产品微型化趋势的需求。
　　另一个重要特性是其快速瞬态响应能力。在负载电流发生突变时，R1131N321A-TR-FE能够迅速调整输出电压，维持系统的稳定运行，避免因电压波动导致的数字逻辑错误或模拟信号失真。这种性能对于动态负载变化频繁的MCU、RF模块等应用尤为关键。同时，该LDO具有高输出电压精度（±2%），确保后级电路获得精确且稳定的供电电压，提升系统整体性能的一致性与可靠性。
　　该芯片还集成了多重保护机制，包括过电流保护和过热保护。当输出短路或负载过大时，内部限流电路会自动限制输出电流，防止器件损坏；而当芯片温度超过安全阈值时，热关断功能将自动关闭输出，待温度下降后恢复正常工作，增强了系统的鲁棒性。此外，R1131N321A-TR-FE采用DFN(PLP)1515-6的小型封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度表面贴装工艺，并兼容无铅回流焊制程，符合现代绿色制造标准。这些综合特性使得该LDO成为高性能、低功耗嵌入式系统中的理想电源管理解决方案。

R1131N321A-TR-FE因其低功耗、小尺寸和高稳定性，被广泛应用于多种对电源质量要求较高的便携式和嵌入式电子设备中。在移动通信领域，它常用于智能手机和平板电脑中的辅助电源轨，为RTC（实时时钟）、传感器模块或Wi-Fi/蓝牙射频前端提供干净稳定的电压。在可穿戴设备如智能手环、健康监测仪中，其超低静态电流特性可最大限度地延长设备待机时间，满足用户对续航能力的需求。
　　在物联网（IoT）设备中，例如无线传感节点、智能家居终端和远程监控模块，R1131N321A-TR-FE为微控制器单元（MCU）、低功耗蓝牙芯片或LoRa收发器提供高效稳压电源，确保在间歇性工作模式下仍能保持稳定的电压供应。此外，该器件也适用于便携式医疗设备，如血糖仪、体温计和助听器，这类产品对电源噪声和长期可靠性有严格要求，而该LDO的低噪声和高精度输出正好满足这些需求。
　　在工业控制和消费类电子产品中，R1131N321A-TR-FE可用于为EEPROM、传感器接口、LCD偏置电源或音频编解码器等子系统供电。其小型封装便于集成到紧凑型模块中，尤其适合模块化设计和高密度PCB布局。此外，由于其宽输入电压范围（1.8V~5.5V），它可以兼容多种电池类型（如锂离子、碱性或镍氢电池）以及经过初步降压的系统电源，适应性强。总之，凡是对功耗、尺寸和电源稳定性有较高要求的应用场景，R1131N321A-TR-FE都是一个可靠且高效的电源管理选择。

R1131N321B-TR-FE
　　XC6206P32MR-G
　　ME6211C32M5G-N
　　RT9193-32GB
　　TPS78232DBVR