时间：2025/9/26 13:52:18
阅读：8
R1131N111D-TR-FE是一款由理光（Ricoh）公司生产的高精度、低功耗电压稳压器，属于其CMOS LDO（低压差线性稳压器）系列中的一个成员。该器件主要用于为便携式电子设备、电池供电系统以及对电源噪声敏感的精密电路提供稳定、干净的输出电压。R1131N111D-TR-FE采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的电源抑制比（PSRR）、极低的静态电流和良好的负载/线路调节能力。该芯片封装形式为小型化DFN(PLP)1515-6封装，适用于空间受限的应用场景。其输出电压固定为1.1V，输出精度在常温下可达±1%，非常适合用于微处理器、DSP、ASIC、FPGA等核心逻辑电路的供电。此外，该器件内置过流保护和热关断功能，增强了系统的可靠性和安全性。
R1131N111D-TR-FE支持陶瓷电容作为输出电容，优化了尺寸与成本，同时提升了频率响应特性。它的工作温度范围通常为-40°C至+85°C，满足工业级应用需求。该型号以卷带包装（TR表示Tape and Reel），适合自动化贴片生产，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端、医疗电子和无线传感器网络等领域。
工作输入电压范围：1.8V～5.5V
输出电压：1.1V（精度±1%）
最大输出电流：300mA
静态电流：典型值2.0μA
关机电流：≤0.1μA
压差电压：典型值110mV（Iout=100mA）
电源抑制比（PSRR）：70dB@1kHz
工作温度范围：-40°C～+85°C
存储温度范围：-55°C～+125°C
封装类型：DFN(PLP)1515-6
R1131N111D-TR-FE具备多项先进特性，使其在同类LDO产品中具有显著优势。首先，其超低静态电流（典型值仅2.0μA）极大地延长了电池供电设备的续航时间，特别适用于长期运行且对功耗极为敏感的应用场合，如智能手表、蓝牙耳机或环境监测节点。其次，该器件实现了极高的输出电压精度（±1%），确保在不同负载条件和温度变化下仍能维持稳定的供电电压，从而保障核心芯片的正常运行和信号完整性。
该LDO采用了高速响应设计，在负载瞬变过程中表现出优异的动态性能，配合小型陶瓷电容即可实现稳定工作，无需额外的ESR控制电阻，简化了外围电路设计。其内部集成的软启动功能有效抑制了上电过程中的浪涌电流，防止系统电压波动导致复位失败或通信中断。同时，内置的过电流保护和热关断机制可在异常情况下自动切断输出，避免因短路或过载造成永久性损坏，提高了整个电源系统的鲁棒性。
另一个关键特性是其卓越的电源抑制比（PSRR高达70dB@1kHz），能够有效滤除来自前级电源（如开关电源或电池纹波）的噪声干扰，为高精度模拟电路（如ADC、PLL、传感器接口）提供“纯净”的电源轨。这在音频处理、射频前端和精密测量仪器中尤为重要。此外，DFN(PLP)1515-6的小型封装不仅节省PCB面积，还具备良好的散热性能，有助于提升功率密度和系统集成度。整体而言，R1131N111D-TR-FE是一款集低功耗、高精度、小尺寸和高可靠性于一体的理想电源管理解决方案。
R1131N111D-TR-FE广泛应用于各类需要高效、稳定低压电源的现代电子产品中。在移动通信领域，它常被用于智能手机和平板电脑的核心SoC或内存模块的辅助电源供应，提供精确的1.1V偏置电压，支持高性能计算单元的低电压运行模式。在可穿戴设备中，例如智能手环或健康监测仪，其超低静态电流特性显著延长了设备待机时间，满足用户对长续航的需求。
在物联网（IoT）节点和无线传感器网络中，该LDO为MCU、RF收发器（如BLE、ZigBee）和传感器信号调理电路提供稳定电源，确保在间歇工作模式下的能效最大化。此外，在便携式医疗设备（如血糖仪、心率监测器）中，R1131N111D-TR-FE的高精度和低噪声特性保证了测量结果的准确性与可靠性。
工业控制和消费类电子中的嵌入式系统也常采用该器件为FPGA、ASIC或数字逻辑电路提供核心电压。由于其支持宽输入电压范围（最高达5.5V），可直接连接锂电池或5V USB电源，省去中间转换环节，简化电源架构。在音频设备中，可用于为前置放大器或编解码器（CODEC）提供干净的模拟电源，降低背景噪声，提升音质表现。总之，凡是对电源稳定性、体积和能耗有严格要求的应用场景，R1131N111D-TR-FE都是一个极具竞争力的选择。
R1131N111A-TR-FE,R1131N111B-TR-FE,XC6223B11MR-G,RK0031-111D
