工作电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输出电压：3.3V（精度±1%）
　　最大输出电流：300mA
　　压差电压：典型值110mV（@Iout=150mA）
　　静态电流：典型值2.0μA（@Vin=3.6V, Iout=0mA）
　　关断电流：最大值0.1μA
　　纹波抑制比：70dB（@1kHz, Vin=4.3V, Vout=3.3V）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN(PLP)1010-4
　　引脚数：4
　　输出电容要求：陶瓷电容，≥1.0μF
　　保护功能：过流保护、过热保护

R1122N331B-TR-FE具备多项高性能特性，使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先，其超低静态电流设计（典型值仅为2.0μA）显著降低了待机功耗，特别适用于长期运行或依赖电池供电的应用场合。这一特性使得系统在睡眠模式或轻载状态下仍能保持高效的能源利用率，从而延长设备的整体续航时间。
　　其次，该器件拥有出色的纹波抑制能力，在1kHz频率下可达到70dB的高RRPS值，能够有效滤除来自上游开关电源或其他噪声源的输入电压波动，为敏感模拟电路如ADC、RF模块或传感器提供干净稳定的电源。这对于提高信号链的信噪比和系统整体性能至关重要。
　　再者，R1122N331B-TR-FE采用CMOS技术实现快速瞬态响应。当负载电流发生突变时，输出电压能够迅速恢复稳定，避免因电压跌落或过冲导致的系统异常重启或数据错误。这种动态稳定性对于多核处理器或多任务操作系统中的电源管理尤为关键。
　　该芯片还支持使用小型陶瓷输出电容（最小1.0μF），不仅节省PCB空间，还能降低整体BOM成本。同时，其DFN1010小型封装（尺寸约1.0mm x 1.0mm x 0.55mm）非常适合高密度贴装需求，满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计趋势。
　　内置的过热保护（Thermal Shutdown）和过流保护（Current Limit）功能可在异常工况下自动切断输出，防止芯片损坏，提升了系统的鲁棒性和长期运行可靠性。此外，该器件无铅且符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品制造。

R1122N331B-TR-FE广泛应用于多种低功耗、高稳定性要求的电子设备中。在便携式消费类电子产品领域，如智能手表、TWS耳机、健身追踪器等，该LDO为微控制器、传感器和无线通信模块提供高效、低噪声的电源解决方案，有助于提升能效和用户体验。
　　在物联网（IoT）节点设备中，由于其超低静态电流和宽输入电压范围，非常适合用于由纽扣电池或能量采集系统供电的无线传感器网络节点，能够在长时间待机与周期性唤醒之间实现最优能耗平衡。
　　在移动通信设备中，该器件可用于基带处理单元、摄像头模组或显示屏偏置电源的后级稳压，确保关键信号路径不受电源噪声干扰。
　　此外，它也适用于医疗电子设备，如便携式血糖仪、心率监测仪等，这些设备对电源稳定性和安全性有极高要求。R1122N331B-TR-FE的高精度输出和内置保护机制正好满足此类应用场景的需求。
　　在工业控制和自动化系统中，该LDO可用于为PLC中的低功耗逻辑电路、RS-485收发器或实时时钟（RTC）供电，即使在恶劣环境下也能保证可靠运行。其-40°C至+85°C的宽工作温度范围进一步扩展了其在户外或高温环境下的适用性。

XC6223B331MR-G\nXC6502PB331ER-G\nMIC5205-3.3YM5-TR\nTPS78233DDCR\nRT9193-33GB