工作输入电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输出电压精度：±2%（常温25°C）
　　固定输出电压：2.8V
　　最大输出电流：300mA
　　压差电压（典型值）：180mV @ IOUT=150mA
　　静态电流（典型值）：3.0μA
　　关断电流（典型值）：0.01μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：DFN(PLP)1212-6
　　引脚数：6
　　调节类型：固定式
　　保护功能：过流保护、过温保护
　　稳定性要求：支持陶瓷电容输出（推荐1.0μF）

R1122N281B-TR的核心特性之一是其超低静态电流，仅为3.0μA，这使得它在电池供电设备中表现出色，能够显著延长设备的待机时间。对于物联网节点、智能手表或无线传感模块这类需要长期运行而无法频繁充电的设备而言，这一特性至关重要。同时，其极低的关断电流（0.01μA）确保在系统进入休眠或待机状态时几乎不消耗额外电能，进一步优化了整体能效。
　　该LDO具有出色的负载调整率和线性调整率，能够在输入电压波动或负载变化的情况下维持稳定的输出电压，保障后级电路工作的可靠性。例如，在射频模块或音频处理单元中，电源噪声直接影响信号质量，R1122N281B-TR通过低噪声设计有效抑制了输出纹波，提升了系统的信噪比性能。
　　器件采用CMOS工艺制造，结合内部反馈环路优化设计，实现了快速启动响应能力，通常在几微秒内即可完成上电稳定过程，避免因电源上升缓慢导致的MCU复位异常或初始化失败问题。此外，其仅需1.0μF的小容量陶瓷电容即可保持环路稳定，减少了外围元件数量和PCB占用面积，有利于小型化设计。
　　R1122N281B-TR还集成了多重保护机制，包括热关断（Thermal Shutdown）和电流限制功能。当芯片温度超过安全阈值时，热关断电路会自动切断输出，防止器件因过热损坏；而在发生短路或过载情况时，限流电路将输出电流限制在安全范围内，保护芯片及外部电路。这些保护功能提高了整个电源系统的鲁棒性。
　　由于其封装为DFN(PLP)1212-6，底部带有散热焊盘，可通过PCB布局有效导热，提升散热效率。尽管体积小，但仍能保证在较高负载下的热稳定性。此外，该封装符合无铅和RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的需求。

R1122N281B-TR广泛应用于各类对空间和功耗敏感的便携式电子设备中。常见使用场景包括智能手机中的传感器供电、蓝牙耳机内的音频解码器电源管理、智能手环或健康监测设备的微控制器（MCU）供电单元等。在这些应用中，稳定的低电压输出和极低的静态功耗是确保设备长时间运行的关键因素。
　　在物联网（IoT）领域，诸如无线传感器节点、智能家居终端、远程监控模块等通常依赖电池供电并长期处于低功耗待机状态，R1122N281B-TR的纳安级关断电流和微安级工作电流使其成为理想的电源解决方案。它可以为Wi-Fi模组、Zigbee收发器或LoRa通信单元提供干净、稳定的电压源，从而提升无线传输的可靠性和距离。
　　工业控制和测量仪器中也常采用此类高精度LDO，用于为ADC、DAC、运算放大器等模拟前端电路提供参考电压或偏置电源。R1122N281B-TR的±2%输出精度和良好的瞬态响应能力有助于提高数据采集系统的准确性和稳定性。
　　此外，该芯片还可用于可穿戴医疗设备，如心率监测仪、血糖仪、体温贴片等，这些设备不仅要求电源高效节能，还需满足严格的电气安全和电磁兼容性标准。R1122N281B-TR凭借其高集成度、小封装和内置保护功能，能够满足这类严苛应用场景的技术需求。

XC6223B28MR-G
　　RT9193-28GB
　　MIC5205-2.8YM5-TR
　　TPS78228DDCR