MUR10060CT 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高电压、高电流双共阴极肖特基整流二极管。该器件专为高效率电源转换系统设计,具有低正向压降和快速恢复时间的特性,适用于各种电源整流和DC-DC转换应用。该器件采用TO-220封装,适合高功率应用,具备良好的热性能和高可靠性。
最大重复峰值反向电压:600V
最大平均整流电流:10A
正向压降:1.55V(最大值,@10A)
峰值浪涌电流:150A
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
存储温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220AB
MUR10060CT 具有出色的电气和热性能,适用于高功率整流应用。其主要特点包括高耐压能力(600V),可承受较高的反向电压冲击;10A的平均整流电流能力,适用于中高功率电源设计;低正向压降(1.55V最大值),有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。此外,该器件具备高浪涌电流承受能力(150A),能够应对瞬间电流冲击,提高系统稳定性。
该器件的双共阴极结构设计允许在需要两个独立整流通道的应用中使用,提高电路设计的灵活性。同时,其TO-220封装具备良好的散热性能,适合在高功率密度环境中使用。MUR10060CT 还具有良好的温度稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境,如工业电源、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和整流电路等应用。
在实际应用中,该器件通常用于桥式整流电路或双路整流拓扑中,支持高效率的电源转换,并具备较长的使用寿命。其优异的性能和稳定的工作特性使其成为工业控制、电力设备和通信系统中常用的整流二极管之一。
MUR10060CT 广泛应用于各类高功率电源系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、逆变器、工业电源和整流装置等。该器件的高耐压和大电流能力使其特别适用于需要高效能整流的场合,例如在电力变换设备中作为主整流元件使用。在通信设备中,MUR10060CT 可用于电源模块的整流和滤波电路,以确保稳定的直流输入。此外,在自动化控制系统的电源部分,该器件也能提供可靠的整流性能,满足高可靠性要求。由于其双共阴极结构,MUR10060CT 也可用于需要两个独立整流通道的设计中,例如在双路输出电源或同步整流电路中,提升电路设计的灵活性和效率。
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