工作电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输出电压：3.2V（精度±1%）
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值1.8μA
　　关断电流：最大0.1μA
　　负载调整率：±30mV（Io = 1mA至300mA）
　　线性调整率：±30mV（Vin变化时）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：DFN(PLP)1515-6
　　引脚数：6
　　输出电容类型：陶瓷电容（推荐0.47μF以上）
　　是否需要外部补偿：否（内部补偿）

R1116N321D-TR-FE具备多项优异的技术特性，使其在同类LDO稳压器中表现出色。首先，其超低静态电流是该器件的核心优势之一，典型值仅为1.8μA，在长时间待机或轻载状态下显著降低功耗，极大延长了电池供电系统的续航时间，特别适合应用于对能效要求极高的场合，例如智能手环、无线射频模块、环境监测传感器等。其次，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，确保了高输入电压抑制比（PSRR），在低频段可达70dB以上，有效抑制来自电源路径的噪声干扰，为敏感模拟电路或高精度ADC/DAC提供干净的供电电压。
　　另一个关键特性是其快速瞬态响应能力。由于内部采用了高速误差放大器和优化的驱动结构，R1116N321D-TR-FE在负载电流发生突变时能够迅速调整输出电压，维持稳定输出，避免系统因电压波动而出现复位或数据错误。这对于动态负载变化频繁的微控制器单元（MCU）供电尤为关键。此外，该器件支持使用小型陶瓷电容作为输出电容（最小0.47μF），大幅减小了整体解决方案的尺寸和成本，同时提升了频率响应特性。
　　热关断与过电流双重保护机制进一步增强了系统的鲁棒性。当输出短路或过载导致芯片温度过高时，热关断功能将自动关闭输出，待温度下降后恢复工作，实现自恢复保护。过流保护则限制最大输出电流，防止因外部故障造成永久性损坏。这些保护功能无需额外外部元件即可实现，简化了设计流程。最后，DFN(PLP)1515-6封装不仅体积小巧（仅1.5mm x 1.5mm），而且具有优良的散热性能，确保在有限空间内仍能保持稳定工作。综合来看，R1116N321D-TR-FE是一款集低功耗、高精度、小尺寸和高可靠性于一体的高性能LDO稳压器。

R1116N321D-TR-FE广泛应用于各类便携式电子设备和嵌入式系统中，尤其适用于对空间和功耗有严格要求的应用场景。常见应用包括可穿戴设备如智能手表、健康监测手环等，这些设备依赖小型电池供电，要求电源管理芯片具备极低静态电流以延长待机时间，同时提供稳定的电压保障主控芯片正常运行。在物联网（IoT）节点设备中，例如无线传感器网络（WSN）、Zigbee或LoRa通信模块，该稳压器可用于为射频收发器和微控制器供电，其高PSRR特性有助于减少电源噪声对无线信号质量的影响。
　　在消费类电子产品中，如蓝牙耳机、TWS耳机、便携式音频播放器等，R1116N321D-TR-FE可为音频编解码器、传感器和MCU提供洁净电源，提升音质表现和系统稳定性。工业领域中，它适用于各类低功耗传感器前端、智能仪表和远程监控终端，尤其是在难以更换电池的部署环境中，其节能特性显得尤为重要。此外，在医疗电子设备如便携式血糖仪、体温计、脉搏血氧仪中，该器件能够确保精密测量电路获得稳定可靠的电源供应，提高检测精度。
　　由于其支持陶瓷输出电容并具有良好的瞬态响应，R1116N321D-TR-FE也常用于数字逻辑电路的电源隔离与稳压，例如为FPGA、ASIC或MCU的I/O电压域供电。在智能家居设备中，如无线门铃、智能灯控开关、环境监测器等，该芯片同样发挥着重要作用。总之，凡是需要高效、稳定、微型化电源解决方案的场合，R1116N321D-TR-FE都是一个理想的选择。

R1116N321A-TR-FE
　　R1116N321B-TR-FE
　　XC6206P32MR-G
　　RT9193-32GB
　　MIC5205-3.2YMT