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IXFK90N20 发布时间 时间：2023/11/29 17:22:49 查看 阅读：261

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：23 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：90A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：380nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：9000pF @ 25V
功率 - 最大：500W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264AA
包装：管件

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IXFK90N20产品

IXFK90N20参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 45A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs380nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9000pF @ 25V
  • 功率 - 最大500W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3，TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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