型号：R1114D261D-TR
　　制造商：Nisshinbo Micro Devices Inc.
　　产品系列：R1114
　　类型：CMOS LDO 稳压器
　　输出电压：2.6V（固定）
　　输出电压精度：±1.0%
　　最大输出电流：150mA
　　输入电压范围：2.0V ~ 5.5V
　　静态电流：典型值3.0μA
　　关断电流：小于0.1μA
　　压差电压：300mV @ 150mA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：DFN(PLP)1010-6
　　保护功能：过流保护、热关断
　　稳定性要求电容：≥0.47μF 陶瓷电容
　　调节类型：固定式
　　安装方式：表面贴装

R1114D261D-TR具备多项先进特性，使其成为高性能电源管理方案中的理想选择。首先，其超低静态电流（典型值仅为3.0μA）显著降低了功耗，特别适用于长期运行的低功耗系统，例如物联网终端节点、可穿戴设备和远程监控装置。这一特性不仅有助于延长电池寿命，还减少了热量积累，提升了系统整体能效。
　　其次，该LDO具有极高的输出电压精度，在整个负载、输入电压和温度范围内均可维持±1.0%的输出精度，确保下游精密电路获得稳定可靠的供电。这对于ADC参考电压、传感器信号调理或实时时钟（RTC）供电等应用场景至关重要。
　　再者，R1114D261D-TR采用了CMOS工艺制造，具备快速启动能力和良好的瞬态响应性能。即使在负载电流快速变化的情况下，也能迅速调整输出，避免电压跌落或过冲，保障系统的稳定运行。同时，其内部集成软启动电路，有效抑制上电过程中的浪涌电流，防止对输入电源造成冲击。
　　该器件支持使用小型0.47μF及以上容量的陶瓷输出电容即可保持环路稳定性，相比传统LDO需要较大电解电容的设计更为紧凑，节省PCB面积并降低成本。此外，DFN(PLP)1010-6的小型封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适应现代电子产品小型化趋势。
　　安全方面，芯片内置过流保护和热关断机制。当输出短路或过载时，电流限制功能会自动限制输出电流；若结温超过安全阈值，热关断电路将关闭输出，待温度恢复后自动重启，提高了系统的鲁棒性和故障自恢复能力。

R1114D261D-TR广泛应用于各类对电源稳定性、功耗和尺寸有严格要求的电子系统中。常见应用包括便携式消费类电子产品，如智能手表、耳机、健康监测设备等，这些设备依赖电池长时间运行，因此需要高效率、低静态电流的电源管理元件。在此类应用中，R1114D261D-TR可为MCU、蓝牙模块、加速度传感器等核心组件提供干净稳定的2.6V电源。
　　在工业控制领域，该LDO可用于为PLC模块、传感器接口、数据采集系统供电，特别是在存在输入电压波动或环境温度变化较大的情况下，其高精度和良好负载调整能力确保了测量和控制的准确性。
　　通信设备中，尤其是无线收发模块（如Wi-Fi、Zigbee、LoRa）也常采用此类LDO作为辅助电源，用于给射频前端或基带处理器供电，以降低噪声干扰，提高信号完整性。
　　此外，在医疗电子设备（如血糖仪、体温计）、智能家居传感器节点以及嵌入式系统中的RTC备用电源路径中，R1114D261D-TR都能发挥重要作用。其小型封装和高可靠性满足了严苛的空间与质量标准，是替代传统78L系列稳压器的理想升级方案。
　　总之，凡是在需要低噪声、低功耗、高精度稳压电源的场合，R1114D261D-TR都是一种极具竞争力的选择。

[
　　 "R1114D261A-TR",
　　 "R1114Q261D-TR",
　　 "XC6206P261MR-G",
　　 "S-1166A261-M5T1U"
　　]