型号：R1114D251B-TR-FE
　　制造商：Ricoh（理光）
　　器件类型：低压差线性稳压器（LDO）
　　输出电压：2.5V（固定）
　　输出电压精度：±2%
　　最大输出电流：150mA
　　输入电压范围：2.0V ~ 5.5V
　　压差电压（Typical）：180mV @ 100mA
　　静态电流（IQ）：2.0μA（典型值）
　　关断电流：0.1μA（最大值）
　　电源抑制比（PSRR）：65dB @ 1kHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装形式：DFN(PLP)1212-6（1.2×1.2×0.6mm）
　　引脚数：6
　　输出电容类型：陶瓷电容
　　最小输出电容：0.47μF
　　保护功能：过流保护、热关断
　　调节类型：固定式
　　极性：正极性
　　安装方式：表面贴装（SMT）

R1114D251B-TR-FE具备多项优异的电气与物理特性，使其在众多低功耗应用中脱颖而出。首先，其超低静态电流（仅2.0μA）极大地优化了电池寿命，特别适合长期运行的嵌入式系统和电池供电设备，如智能手表、健康监测仪和无线传感器节点。这种低功耗设计不仅体现在正常工作状态，还体现在关断模式下，其关机电流低于0.1μA，几乎可以忽略不计，进一步提升了能效表现。
　　其次，该LDO具有出色的电压稳定性和负载调整能力。在输入电压波动或负载电流变化的情况下，输出电压仍能保持在±2%的高精度范围内，确保后级电路获得稳定可靠的供电。其低压差特性（180mV @ 100mA）意味着即使输入电压接近输出电压时也能维持正常稳压，从而允许系统在电池电压下降至较低水平时仍可继续工作，提高了能源利用率。
　　再者，R1114D251B-TR-FE拥有高达65dB的电源抑制比（PSRR），能够有效滤除来自输入端的高频噪声和纹波，为噪声敏感的模拟电路（如ADC、DAC、RF收发器）提供洁净的电源轨。这对于提升信号完整性和系统信噪比至关重要。
　　此外，该器件采用DFN小型封装，占用PCB面积极小，符合现代电子产品微型化趋势。其内置的过流保护和热关断功能增强了系统的鲁棒性，防止因短路或过载导致的永久性损坏。整个芯片基于CMOS工艺实现，具备高输入阻抗、低漏电流和良好的温度稳定性，适用于宽温环境下的可靠运行。

R1114D251B-TR-FE因其高精度、低功耗和小尺寸的特点，被广泛应用于多种对电源管理要求严苛的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如蓝牙耳机、智能手环、TWS耳机和移动支付终端，该LDO常用于为微控制器（MCU）、传感器模块和无线通信芯片（如BLE、Wi-Fi）提供稳定的2.5V电源，确保设备在低功耗模式下长时间运行。
　　在物联网（IoT）设备领域，例如智能家居传感器、远程抄表装置和环境监测节点，R1114D251B-TR-FE凭借其微安级静态电流成为理想的电源解决方案，显著延长了电池更换周期，降低了维护成本。
　　此外，该器件也适用于医疗电子设备，如血糖仪、体温计和可穿戴健康监测设备，这些应用对电源噪声和稳定性有较高要求，而R1114D251B-TR-FE的高PSRR和低输出噪声特性正好满足此类需求。
　　在工业控制和自动化系统中，该LDO可用于为精密传感器信号调理电路、低功耗ADC参考电压源或实时时钟（RTC）模块供电，保证关键子系统在复杂电磁环境中稳定运行。
　　最后，在需要多路电源轨的复杂系统中，R1114D251B-TR-FE还可作为次级稳压器，用于将主电源（如3.3V或5V）进一步降压至2.5V，为特定IC提供独立且干净的供电路径，避免电源干扰影响整体性能。

XC6223B251MR-G
　　XC6502DB25MR-G
　　RT9051-25GB
　　TPS70325DBVT