型号：R04T
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V；40mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：190pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

R04T具备出色的导通性能和开关响应特性，其低导通电阻确保在大电流通过时产生较小的功率损耗，有助于提高系统的整体能效。在VGS=10V条件下，RDS(on)仅为28mΩ，而在更为常见的4.5V驱动电压下也能保持40mΩ的低阻值，这意味着即使在低压逻辑控制环境下（如3.3V MCU输出），该器件依然能够有效导通，减少发热问题。这种宽泛的栅极驱动兼容性使其适用于多种数字控制系统。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽栅结构设计，增强了沟道载流子的迁移率，提升了单位面积下的电流承载能力。同时，优化的芯片布局减少了寄生电感和电阻的影响，提高了高频开关应用中的稳定性。其输入电容和输出电容数值适中，配合快速的反向恢复时间（仅28ns），使得R04T在高频DC-DC变换器中表现出色，可显著降低开关损耗，提升电源转换效率。
　　热稳定性方面，R04T能够在-55°C至+150°C的结温范围内可靠运行，适用于恶劣环境下的工业控制和汽车电子应用。封装采用SOT-23小型化设计，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，尤其在合理布线和适当铜箔面积辅助下，可持续承载高达4A的连续漏极电流。此外，器件内置一定程度的ESD防护机制，增强了在装配和使用过程中的抗干扰能力，降低了因静电放电导致失效的风险。
　　总体而言，R04T是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的N沟道MOSFET，非常适合对空间和功耗敏感的应用领域。其稳定的电气特性和成熟的制造工艺保障了批次间的一致性，便于大规模自动化生产中的质量控制。

R04T广泛应用于各类中小型电子设备中，尤其是在需要高效能开关控制的低电压、中等电流场景下表现优异。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充放电控制与负载开关电路。由于其低阈值电压和良好的驱动兼容性，能够直接由微控制器GPIO引脚驱动，因此在嵌入式系统中常被用作继电器替代方案，实现固态开关功能。
　　在LED照明领域，R04T可用于恒流驱动电路或PWM调光控制，凭借其快速开关能力和低导通损耗，有助于提升亮度调节精度并减少热量积累。在DC-DC升压或降压转换器中，该器件可作为同步整流开关使用，显著提高转换效率，尤其适用于以电池供电为主的节能型设备。
　　此外，R04T也适用于电机驱动应用，如微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低端开关元件。其快速响应能力和较高的脉冲电流承受能力（可达16A）使其能在瞬态负载变化下保持稳定运行。在工业自动化传感器模块、通信接口电平切换、热插拔保护电路以及USB电源开关中也有广泛应用。
　　得益于其小型封装和高集成度特性，R04T特别适合空间受限的设计，如物联网终端节点、无线传感器网络模块和智能家居控制单元等。同时，其符合环保标准的材料构成和支持回流焊的工艺特性，满足现代电子产品对绿色制造和自动化生产的严格要求。

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　　 "RN2004N",
　　 "AO3400",
　　 "SI2302",
　　 "FS8205A",
　　 "DMG2302U"
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