时间：2025/6/21 8:53:28
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QVS107CG390JCHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号：QVS107CG390JCHT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：80nC
开关时间：ton=25ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
QVS107CG390JCHT采用了优化的硅片设计和封装技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速的开关性能，适合高频应用。
3. 高度稳定的动态特性，在不同负载条件下表现优异。
4. 内置ESD保护功能，提升器件的可靠性和抗干扰能力。
5. 小型化封装设计，便于在空间受限的应用中使用。
6. 宽泛的工作温度范围，适应多种严苛环境需求。
这款MOSFET适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC转换器中的开关元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 汽车电子系统中的各种功率控制模块。
QVS107CG390JCMT,QVS107DG390JCHT
