时间：2025/7/9 11:46:40
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QVS107CG180JCHT是一款高性能的MOSFET功率器件，属于 Vishay 公司的 Siliconix 系列。该型号采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，适用于高频开关应用，能够显著提升效率并降低功率损耗。
该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景，适合需要高效能和小尺寸解决方案的应用环境。
型号：QVS107CG180JCHT
类型：N沟道 MOSFET
封装：PowerPAK? 1212-8
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.8mΩ
Id（持续漏极电流）：149A
Qg（栅极电荷）：36nC
EAS（雪崩能量）：1.5mJ
fsw（最大开关频率）：支持高达数MHz
Ptot（总功耗）：根据散热条件而定
QVS107CG180JCHT 的主要特点是采用了先进的 TrenchFET 第三代技术，从而实现了极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 1.8mΩ。这种设计可以有效减少传导损耗，提高系统的整体效率。
此外，该器件还具备出色的开关性能，其栅极电荷 (Qg) 较低，仅为 36nC，有助于实现更快的开关速度，并且在高频应用中表现出色。
PowerPAK? 1212-8 封装形式不仅提供了卓越的电气性能，还具有良好的散热特性和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的设计。
它还具备一定的雪崩能量能力（1.5mJ），能够在异常条件下提供额外的保护功能，增加了系统运行的可靠性。
QVS107CG180JCHT 广泛应用于需要高效率和高频工作的电子设备中。常见的应用场景包括：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 电机驱动和控制
- 工业自动化中的负载切换
- 汽车电子中的电源管理
- 高效 LED 驱动电路
由于其低导通电阻和高电流处理能力，这款 MOSFET 在大功率应用中表现尤为突出。
QV8110EP,
IRL3803PBF,
STP150N06,
FDP15N06L
