时间：2025/7/3 9:22:11
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GQM1875G2ER50BB12D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种电源管理和电机驱动场景。
这款器件通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及电机控制等领域。其出色的电气性能和可靠性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
型号：GQM1875G2ER50BB12D
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
功耗(Pd)：190W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
GQM1875G2ER50BB12D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适用于现代高效电源转换应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置防静电保护功能，提高了器件的抗干扰能力。
5. 热稳定性强，能够在极端温度环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
GQM1875G2ER50BB12D 在设计中充分考虑了电气性能和可靠性之间的平衡，能够满足苛刻的工作环境要求。
GQM1875G2ER50BB12D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 电池管理系统 (BMS)，特别是电动汽车和储能系统。
4. 工业自动化设备中的负载控制。
5. 汽车电子系统，例如启动马达、空调压缩机等。
6. 大功率 LED 驱动器。
由于其高效率和高可靠性，该器件非常适合需要大电流和快速切换的应用场景。
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5500
