类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：6.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：8
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：750pF @ Vds=15V

QTLP680CBTR的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。在Vgs=10V时，Rds(on)低至23mΩ，即使在较高的工作电流下也能保持较低的功耗。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供较高的电流密度和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动电压，兼容多种控制器和驱动电路。
　　QTLP680CBTR采用TSSOP封装，尺寸小巧，适合用于空间受限的设计。该封装形式具备良好的散热性能，能够有效地将热量传导至PCB上，从而提高器件的热稳定性。
　　此外，该器件具备较强的耐用性和可靠性，适用于汽车电子、工业电源、便携式设备等多种应用领域。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）也使其能够适应严苛的工作环境。

QTLP680CBTR广泛应用于各种电源管理系统和功率转换电路中。常见的应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路、电机驱动电路、电源管理模块等。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边或低边开关，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于高频率开关电路中，以减少开关损耗并提高整体效率。
　　在电池管理系统中，QTLP680CBTR可用于控制电池的充放电路径，保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于电动汽车和储能系统中的电源控制模块。
　　此外，该器件也可用于工业自动化设备、便携式电子产品、LED驱动电路以及各种需要高效功率控制的场合。

Si2302DS, FDS6680, IRF7409, FDS6679CZ, NVTFS5C471NL