类型：NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　总耗散功率（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于测试条件）

QTLP660C-O 是一款双极型晶体管阵列，其核心优势在于其高度集成和出色的性能表现。首先，它内部集成了多个晶体管，通常用于需要多个晶体管并联或串联的应用，从而简化电路设计并提高可靠性。该器件的低饱和电压（VCE(sat)）确保了在开关应用中较低的功率损耗，这对于需要高效能和低发热的应用非常重要。
　　其次，QTLP660C-O 的高电流增益（hFE）使其在信号放大电路中表现出色。hFE范围从110到800，根据不同的工作条件可变，这使得它能够适应多种放大需求，包括小信号放大和中等功率放大。此外，该器件的增益带宽积（fT）为100MHz，表明其在高频应用中依然保持良好的响应特性，适用于射频（RF）前端、音频放大器以及数字开关电路。
　　在封装方面，QTLP660C-O 采用SOT-223小型封装，具有优异的热管理能力，适合在空间受限的设计中使用。该封装还支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率并降低了制造成本。SOT-223封装的热阻（RθJA）较低，有助于在较高工作温度下保持稳定性能。
　　此外，QTLP660C-O 的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其具有出色的环境适应能力，适用于严苛的工业和汽车应用。该器件的可靠性和稳定性也得到了广泛验证，符合AEC-Q101汽车电子标准，适合用于汽车控制模块、车载娱乐系统和车载通信设备。

QTLP660C-O 主要应用于需要高稳定性和高集成度的电子系统中。例如，在消费电子领域，它常用于音频放大器、LED驱动电路、DC-DC转换器和逻辑电平转换器。在工业控制系统中，该晶体管阵列可用于传感器信号放大、继电器驱动和电机控制等场景。
　　在汽车电子领域，QTLP660C-O 被广泛应用于车载娱乐系统、车身控制模块、车载导航系统以及车载通信模块。由于其符合AEC-Q101标准，能够在恶劣的汽车环境中稳定工作，因此是汽车电子工程师的首选元件之一。
　　此外，该器件也适用于电源管理系统，例如在电池管理系统中用于电压调节和电流检测电路。在物联网（IoT）设备中，QTLP660C-O 可用于低功耗无线通信模块中的射频开关和信号放大器，确保设备在低功耗模式下仍能保持稳定的信号传输性能。

BC847B, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A