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1N5358BRLG 发布时间 时间:2025/7/9 12:33:13 查看 阅读:14

1N5358BRLG是一种常见的硅雪崩整流二极管,具有高浪涌电流能力。它通常用于保护电路中的电子元件免受瞬态电压尖峰的影响,例如雷击或开关瞬变产生的尖峰电压。该器件属于1N5358系列,带有玻璃封装(G代表玻璃封装),并具有良好的稳定性和可靠性。
  其设计能够承受较高的反向电压,并且在过压情况下可以快速导通以保护后续电路。

参数

最大重复峰值反向电压:75V
  最大平均正向整流电流:6A
  最大峰值浪涌电流:239A
  正向电压(IF=1A):0.85V
  总耗散功率(Tamb=25℃):40W
  结电容:约4pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1N5358BRLG具备出色的浪涌吸收能力,适用于各种工业和消费类应用中的电路保护任务。
  其玻璃封装提高了产品的可靠性和一致性,同时提供了更好的散热性能。
  该器件的响应时间非常快,能够在瞬间导通从而限制电压尖峰对敏感元件的危害。
  此外,由于其较低的正向压降,可减少功耗并提高效率。
  它还拥有较宽的工作温度范围,使其适合于恶劣环境下的应用。

应用

1N5358BRLG广泛应用于电力供应系统、通信设备、汽车电子以及家用电器等领域中的过压保护电路。
  具体来说,它可以作为瞬态抑制二极管来防止感应负载切换时产生的反电动势损坏其他元器件。
  在太阳能逆变器或电机驱动器中,这种二极管也可以用来箝位可能危及MOSFET或其他功率开关的高压脉冲。
  另外,在雷击防护装置内,此型号同样发挥着重要作用,用以吸收来自外部线路的高能量冲击。

替代型号

1N5358BRG, 1N5358BRL

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1N5358BRLG参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)22V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 16.7V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)3.5 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装剪切带 (CT)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5358BRLGOSCT