时间：2025/8/24 10:44:04
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QTLP610C-B.TR是一种由UTC（Unisonic Technologies）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。这种MOSFET常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高电流和高速开关性能的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（最大值，典型值）
功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
QTLP610C-B.TR的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件在高电流应用中表现出色，具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或更低的驱动电压，适用于多种控制电路设计。其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，QTLP610C-B.TR具有良好的短路和过载承受能力，增强了系统的可靠性和稳定性。其封装形式为TO-252，具有良好的散热性能，便于PCB布局和安装。
该器件还具备高雪崩能量耐受能力，能够在突发的电压尖峰或电感负载切换时提供额外的安全保障。这种特性使其适用于汽车电子、工业控制等对可靠性要求较高的场合。
QTLP610C-B.TR广泛应用于各种电源管理领域，包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、电池充电器和管理系统、电源适配器以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如车载电源转换器和LED照明驱动电路。
Si2302DS-T1-GE3, FDS6680, IRFZ44N, AO4406
