QTLP603CIWTR 时间：2025/8/29 18:00:02 阅读：9

QTLP603CIWTR 是一款由安森美半导体（onsemi）推出的高效能、低电压、双路N沟道MOSFET器件，广泛应用于需要高效率和紧凑设计的电源管理电路中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理单元（PMU）等应用场景。QTLP603CIWTR 采用WDFN（5x6）封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于便携式设备和高密度电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：6.5A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：38mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散(PD)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：WDFN-8（5x6）

特性

QTLP603CIWTR 具备多项关键特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在VGS = 10V时，RDS(on)为28mΩ，在VGS = 4.5V时则为38mΩ，这使得它在低电压驱动条件下依然保持良好的性能。此外，该器件能够承受高达6.5A的连续漏极电流，具备较强的电流承载能力。
　　其次，QTLP603CIWTR 采用了先进的Trench MOSFET工艺技术，优化了开关性能，降低了开关损耗。这使得它在高频开关应用中（如DC-DC转换器）具有更高的效率和更低的发热。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功率消耗。
　　在封装方面，QTLP603CIWTR 采用WDFN-8（5x6）封装，具有较小的占板面积和良好的散热性能。该封装形式不仅提高了空间利用率，还有助于提高系统的集成度，特别适用于对尺寸和功耗敏感的便携式电子设备。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的环境条件，确保器件在极端温度下仍能稳定运行。
　　最后，该MOSFET具备较高的可靠性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统中的电源管理应用。其栅极氧化层设计具有较高的耐用性，确保在长期使用中不会因频繁开关操作而出现性能退化。

应用

QTLP603CIWTR 主要应用于以下领域：首先，在DC-DC转换器中，该MOSFET用于高侧和低侧开关，提供高效的电压转换能力，适用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式设备的电源管理系统。其次，它可用于负载开关控制，实现对系统中不同模块的电源管理，提高整体能效并延长电池续航时间。此外，该器件也适用于电源管理单元（PMU）中的关键开关元件，支持多路电源切换和调节。在汽车电子领域，QTLP603CIWTR 可用于车载充电器、LED照明驱动、电动工具等应用，满足对高可靠性和高性能的严格要求。另外，该器件还可用于电机驱动、电池保护电路、服务器和通信设备的电源管理模块。