ME30N10-G 时间：2025/6/24 8:35:21 阅读：12

ME30N10-G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关和功率放大电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理应用。它通常被用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等场景。

参数

型号：ME30N10-G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源极电压(Vds)：100V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　栅源极电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：0.4Ω(典型值，@Vgs=10V)
　　总功耗(Ptot)：76W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃

特性

ME30N10-G具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：其额定漏源极电压为100V，能够承受较高的反向电压。
　　2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为0.4Ω，可有效降低传导损耗。
　　3. 快速开关性能：具备快速开关特性，有助于减少开关损耗。
　　4. 高可靠性：经过严格的质量控制流程，确保在恶劣环境下依然保持稳定运行。
　　5. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的工作环境，适应各种工业应用场景。
　　6. 简单易用：通过控制，易于设计和集成。

应用

ME30N10-G广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：作为主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC转换器：提供高效的功率传输与控制。
　　3. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
　　4. 负载开关：在需要快速响应的系统中起到关键作用。
　　5. 电池保护：防止过充、过放及短路等情况。
　　6. 工业自动化设备：如伺服控制器、变频器等，提高系统的可靠性和效率。