晶体管类型：N沟道MOSFET
　　通道数：4
　　漏极电流（Id）：5.6A
　　漏极电压（Vds）：30V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V, 3A
　　功率耗散：3.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：14

QT4C07-ISG是一款专为高性能功率应用而设计的MOSFET集成电路，集成了四个独立的N沟道MOSFET通道。该器件的每个通道在Vgs=10V时具有极低的导通电阻（Rds(on)）值，仅为23mΩ，从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这种低导通电阻特性使其在高电流负载条件下仍能保持优异的性能表现，同时减少热量产生。
　　该器件采用了紧凑的TSSOP封装形式，具有14个引脚，适用于表面贴装工艺。这种封装方式不仅节省了PCB空间，还提高了散热性能，使得QT4C07-ISG在有限空间和高功率需求的应用中表现出色。此外，其高集成度设计减少了外围电路的需求，从而简化了电路设计并提高了整体系统的可靠性。
　　QT4C07-ISG支持高达5.6A的漏极电流（Id），并且漏源电压（Vds）可达30V，使其适用于广泛的功率控制场景。该器件的栅极电压容限为±20V，提供了良好的抗过压能力。此外，其最大功率耗散为3.4W，能够在较宽的工作温度范围内（-55°C至150°C）稳定运行，适合用于工业级环境和高可靠性要求的应用中。

QT4C07-ISG因其高性能和紧凑封装，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，以提高能效并延长设备运行时间。在工业自动化系统中，该器件适用于驱动继电器、LED照明以及电机控制模块，提供高效的功率切换能力。此外，在汽车电子领域，QT4C07-ISG可用于车载充电系统、车身控制模块以及电动助力转向系统等应用，满足对高可靠性和小尺寸封装的严格要求。该器件还可用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理电路，以实现更长的电池续航和更紧凑的设计。

Si4463DY, IPD9123, FDMF6821CSD, NXM4002N