2N60I 时间：2025/8/13 20:07:22 阅读：4

2N60I 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电机控制等应用中。该器件采用TO-220封装形式，具有较高的耐压能力和良好的导通性能，适用于中高功率场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2N60I MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性，适用于多种开关和功率控制应用。其主要特性如下：
　　首先，2N60I具备高达600V的漏源耐压能力，使其适用于高压电源转换系统，如AC-DC电源适配器、LED驱动器和开关电源等。其高耐压特性确保了在复杂电压环境下依然具备良好的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件的最大漏极电流为10A，能够支持中高功率负载的控制，适用于电机驱动、电源转换和负载开关等应用。虽然其导通电阻RDS(on)为0.45Ω，相对较高，但在许多通用功率应用中仍能满足效率要求。
　　此外，2N60I的栅极驱动电压范围较宽，最高可达±30V，具有良好的兼容性，可与多种驱动电路配合使用。其TO-220封装结构具备良好的散热性能，适合在中等功率条件下进行自然散热或加装散热片使用。
　　该器件的热阻较低，能够在较高温度环境下正常工作，且具备较强的抗瞬态电压和电流冲击能力，适用于工业控制、消费电子和电源模块等领域。