QSZ2TR 时间：2025/12/25 11:48:13 阅读：17

QSZ2TR是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装P沟道MOSFET晶体管，采用小型SOT-723封装。该器件专为高密度、低功耗的电源管理和信号开关应用而设计，适用于便携式电子设备和电池供电系统。其主要特点是具有较低的导通电阻（RDS(on)），能够在较小的封装尺寸内实现高效的功率控制。由于采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，QSZ2TR在保证高性能的同时，还具备良好的热稳定性和可靠性。
　　该器件的栅极阈值电压较低，适合与低压逻辑电路（如1.8V、2.5V或3.3V系统）直接接口，无需额外的电平转换电路。这使得它在现代低电压、低功耗的嵌入式系统中具有广泛的应用前景。此外，SOT-723封装体积小巧，有助于节省PCB空间，特别适合智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对尺寸敏感的产品设计。
　　QSZ2TR的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，满足工业级和汽车级应用的环境要求。其引脚配置简单，仅包含源极、栅极和漏极三个端子，便于自动化贴片生产和回流焊工艺。作为一款通用型P沟道MOSFET，QSZ2TR常用于负载开关、电源路径控制、电池反接保护以及LED驱动等场景。

参数

型号：QSZ2TR
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压(VDSS)：-20V
　　最大栅源电压(VGSS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-100mA
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-200mA
　　导通电阻(RDS(on))：550mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：700mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：900mΩ @ VGS = -1.5V
　　栅极阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：约20pF
　　输出电容(Coss)：约8pF
　　反向传输电容(Crss)：约1pF
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-723
　　安装类型：表面贴装

特性

QSZ2TR采用先进的沟槽型MOSFET结构，这种结构通过在硅衬底上刻蚀出深沟槽并形成栅极来增加单位面积内的沟道宽度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提高器件的电流处理能力。尽管QSZ2TR是P沟道器件，通常其性能不如N沟道MOSFET优越，但得益于优化的工艺设计，它在小信号开关应用中仍表现出色。该器件在VGS = -4.5V时RDS(on)仅为550mΩ，在同类P沟道产品中处于领先水平，能够有效减少导通损耗，提升系统效率。
　　另一个关键特性是其低阈值电压表现。QSZ2TR的栅极阈值电压范围为-0.6V至-1.0V，这意味着即使在较低的控制电压下（如1.8V逻辑电平），也能实现充分的导通状态。这一特性使其非常适合用于由微控制器GPIO直接驱动的应用，例如使能信号控制、电源域切换或电池断开机制。同时，较低的驱动电压需求也减少了对外部驱动电路的依赖，简化了整体设计复杂度。
　　热性能方面，SOT-723封装虽然体积微小，但由于采用了铜夹片连接技术和薄型 molding 工艺，具备较好的散热能力。在适当的PCB布局下（如增加接地焊盘连接大面积铜箔），可以有效将热量传导至电路板，防止局部过热导致的性能下降或失效。此外，该器件具有良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）防护能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。
　　频率响应方面，QSZ2TR的输入电容约为20pF，输出电容约为8pF，反向传输电容Crss仅为约1pF，表明其开关速度较快，适合高频开关操作。低电容特性也有助于减少开关过程中的动态损耗，尤其在PWM调光或快速通断控制中表现优异。综合来看，QSZ2TR在小型化、低功耗和高可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于现代电子系统的理想选择。

应用

QSZ2TR广泛应用于需要紧凑设计和低功耗运行的便携式电子产品中。典型应用场景包括移动设备中的电源管理模块，例如用于控制不同功能模块的供电使能，实现按需上电以延长电池续航时间。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，QSZ2TR可用于切断未使用传感器或无线通信模块的电源路径，从而进入深度休眠模式。
　　此外，该器件也常被用作电池供电系统的反向极性保护开关。当电池插入方向错误时，P沟道MOSFET可以阻止电流流动，避免损坏后级电路。相比传统的二极管保护方案，MOSFET方式的压降更小，能量损失更低，效率更高。
　　在LED指示灯或背光驱动电路中，QSZ2TR可作为简单的开关元件，由MCU的GPIO引脚控制其通断，实现亮度调节或状态显示。由于其支持快速开关，也可用于脉宽调制（PWM）调光控制。
　　其他应用还包括信号多路复用器的控制开关、存储器写保护电路、USB端口电源管理、SIM卡电源切换等。在工业传感器节点和IoT终端设备中，QSZ2TR有助于构建低静态电流的待机模式管理系统，满足严格的能效标准。