QSW-6310-0-13DLGA-TR-01-0是一款由电子元件制造商设计的射频开关芯片,通常用于无线通信系统中的高频信号路由。该器件基于GaAs(砷化镓)技术,具有较低的插入损耗和较高的隔离度,适合用于需要高频率性能和可靠性的应用。该封装形式为13引脚的DFN(Dual Flat No-leads)封装,提供了良好的热管理和空间效率。
工作频率范围:0.7 GHz - 6 GHz
插入损耗:典型值为0.4 dB(最大值0.6 dB)
隔离度:典型值35 dB(频率范围内)
输入IP3:+65 dBm
工作电压:2.3 V - 5.5 V
控制逻辑:兼容1.8 V/3.3 V CMOS
封装类型:13引脚 DFN
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
QSW-6310-0-13DLGA-TR-01-0射频开关采用高性能的GaAs pHEMT工艺制造,确保了在宽频率范围内稳定的工作性能。其低插入损耗特性使得信号在通过开关时的衰减极小,适用于对信号完整性要求较高的系统。同时,高隔离度确保在多路信号切换时干扰最小化,提高了系统的整体性能。
该芯片还具有宽电压工作范围(2.3V至5.5V),使其适用于多种电源配置,并增强了设计的灵活性。控制逻辑兼容1.8V和3.3V CMOS电平,便于与现代数字控制电路集成。此外,DFN封装不仅提供了优良的电气性能,也增强了热管理能力,使得器件在高功率操作下仍能保持稳定。
该射频开关无需外部直流阻断电容,简化了电路设计并减少了外围元件数量。其高线性度和出色的IP3性能使其适用于多频段、多模式的通信系统,如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、工业自动化和测试设备等应用。
QSW-6310-0-13DLGA-TR-01-0主要用于需要高性能射频信号切换的无线通信系统,如4G/5G基站、Wi-Fi 6接入点、小基站(Small Cells)、物联网(IoT)网关、工业无线控制、射频测试设备和智能天线系统等。
HMC649ALP3E, PE4259, SKY13417-374LF