CJ10P20DE6G 时间：2025/8/17 3:29:28 阅读：21

CJ10P20DE6G 是一款由Chengdu Jinchang Electronic Co., Ltd.（成都锦昌电子）制造的功率MOSFET。该器件基于先进的沟槽栅极技术，具有优异的导通性能和开关特性。CJ10P20DE6G采用P沟道结构，适用于多种高功率密度和高效能要求的应用场景。该MOSFET封装为DFN5x6，有助于实现小型化和高效散热。这款器件广泛用于电源管理、电池管理系统、电机控制以及工业自动化设备中。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-100V
　　最大漏极电流（ID）：-20A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤60mΩ（在VGS=-10V时）
　　栅极电压范围：-20V至0V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：DFN5x6
　　最大功耗：120W
　　封装尺寸：5mm x 6mm
　　栅极电荷：≤35nC
　　漏极电容（Ciss）：约1800pF

特性

CJ10P20DE6G 是一款基于沟槽栅极技术的P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件的导通电阻在VGS=-10V时小于60mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，CJ10P20DE6G支持最大漏极电流为-20A，适用于中高功率应用场景。其-100V的漏源耐压能力使其在高压环境中具有良好的稳定性。
　　该MOSFET采用了DFN5x6封装技术，这种封装形式不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力，有助于提升器件的散热效率。同时，DFN封装具有较低的热阻（RθJA约为41.7°C/W），确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　 CJ10P20DE6G的栅极电荷较低（约35nC），使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗并提高了系统的整体能效。其漏极电容（Ciss）约为1800pF，适用于快速开关电路设计。此外，该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，能够在各种恶劣环境下稳定工作。
　　该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，并通过了AEC-Q101认证，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。其栅极电压范围为-20V至0V，能够兼容多种驱动电路设计，提供更灵活的应用方案。

应用

CJ10P20DE6G 主要用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。其典型应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制设备。由于其具备低导通电阻和优异的开关性能，CJ10P20DE6G也适用于高频率开关电源设计，如开关电源（SMPS）、逆变器和UPS系统。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）以及车载娱乐系统的电源管理模块。此外，在工业自动化系统中，CJ10P20DE6G可作为电机控制和继电器替代方案，实现更高效和稳定的控制功能。
　　该器件还适合用于高可靠性要求的工业设备，如伺服驱动器、PLC控制器和工业机器人。由于其DFN封装提供了良好的热管理能力，CJ10P20DE6G也非常适合用于空间受限且需要高效散热的应用场景。