晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

QST1105晶体管具有良好的电性能和稳定的工作特性，适用于各种通用电子电路设计。其主要特性包括：
　　1. 高电流增益（hFE）：QST1105的电流增益范围为110至800，具体数值取决于器件等级（例如QST1105A、QST1105B等）。这使得它能够有效放大微弱信号或作为高效开关使用。
　　2. 低饱和电压（Vce_sat）：在满载工作条件下，QST1105的饱和电压较低，通常小于0.2V，这有助于减少功耗并提高能效。
　　3. 宽工作温度范围：该晶体管可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费级应用。
　　4. 高频率响应：虽然QST1105主要用于低频应用，但其过渡频率（fT）约为100MHz，能够满足一般高频信号放大需求。
　　5. 高可靠性和耐用性：采用先进的制造工艺，确保了晶体管在长期使用中的稳定性和可靠性，适用于各种环境条件下的电子设备。

QST1105晶体管广泛应用于多种电子电路中，主要包括：
　　1. 放大电路：QST1105用于音频放大器、信号放大器等电路中，能够有效放大输入信号，适用于前置放大和功率放大环节。
　　2. 开关电路：作为开关元件，QST1105可用于数字电路、电源管理和控制电路中，实现对负载的高效控制。
　　3. 逻辑门电路：在基本的数字逻辑电路设计中，QST1105可用于构建与门、或门、非门等基础逻辑门。
　　4. 传感器接口电路：QST1105常用于连接和放大传感器信号，适用于温度、湿度、光强等传感器的数据处理电路。
　　5. 工业控制：在自动化控制设备中，QST1105用于控制继电器、LED、小型电机等元件的驱动电路。
　　6. 便携式电子设备：由于其低功耗和小型封装，QST1105广泛应用于电池供电设备，如无线遥控器、手持测试仪器等。

2N3904, BC547, PN2222A