电容值：100 nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50 V
　　温度系数：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1206（3216 公制）
　　介质材料：陶瓷
　　损耗角正切（tanδ）：≤ 0.025
　　绝缘电阻：≥ 10,000 MΩ
　　额定电流：N/A（电容器无额定电流参数）

QSML-C19N 的主要特性包括优异的温度稳定性、低等效串联电阻（ESR）以及高电容密度。其 X7R 温度系数确保了在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内电容值的变化不超过 ±15%。此外，该电容器采用无磁性材料制造，适合在高频电路中使用，具有良好的高频响应特性。
　　该型号还具备出色的抗湿性和耐热性，符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺。其陶瓷介质具有优异的绝缘性能和长期稳定性，能够有效降低电路中的噪声和干扰。由于其结构坚固且可靠性高，QSML-C19N 可用于严苛环境下的电子设备中，如汽车电子和工业控制系统。

QSML-C19N 常用于各类电子设备中，尤其是在需要高稳定性和高频性能的场合。典型应用包括电源去耦、信号滤波、射频（RF）电路中的旁路电容，以及在 DC/DC 转换器中作为输出滤波电容使用。此外，它也广泛应用于通信设备中的耦合和旁路电路，工业自动化控制系统中的信号调理电路，以及汽车电子模块中的电源管理电路。
　　在消费类电子产品中，QSML-C19N 可用于音频设备、智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源滤波和信号处理电路。其高可靠性也使其适用于医疗电子设备和安全关键系统中的电路设计。

TDK C3216X7R2H104K160AB, Murata GRM32ER72H104KA01L, Samsung CL21B104KAQNNNE, Kemet C1206C104K5RACTU