时间：2025/10/6 19:06:54
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UPA1C332MHD6TN是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等中低功率电子设备中。该器件采用小型化封装HVSOF-6（也称作SOP-6），适合对空间要求较高的便携式电子产品设计。UPA1C332MHD6TN具备优异的导通电阻特性与快速开关能力，在保证高效率的同时降低了整体功耗。其栅极阈值电压适中，易于与常见的逻辑电平驱动电路兼容，例如微控制器或电源控制IC输出信号。此外，该MOSFET内部结构优化，具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。由于采用了先进的沟槽型工艺技术，UPA1C332MHD6TN在相同封装尺寸下实现了更高的电流处理能力和更低的Rds(on)值，从而提升了系统能效和可靠性。这款器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他消费类电子产品的电源管理系统中，作为高端开关或同步整流元件使用。
型号：UPA1C332MHD6TN
通道类型：N沟道
漏源电压(VDSS)：30V
连续漏极电流(ID)：5.4A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：21A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：24mΩ @ VGS=10V, ID=2.7A
导通电阻(RDS(on))：33mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.7A
栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
输入电容(Ciss)：470pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：28ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：HVSOF-6 (SOP-6)
安装方式：表面贴装
极性：增强型MOSFET
UPA1C332MHD6TN具备出色的导通性能和开关响应速度，这得益于其采用的先进沟槽型MOSFET制造工艺。该器件在VGS=10V条件下可实现低至24mΩ的导通电阻，而在标准4.5V驱动电压下仍能保持33mΩ的低阻值，这意味着它可以在多种供电环境中高效运行，尤其是在电池供电设备中显著减少传导损耗，提高整体能源利用率。其较低的栅极电荷（典型Qg为12nC）和输入电容（Ciss=470pF），使得驱动电路所需的功耗更小，有利于提升高频开关应用中的效率表现。同时，该MOSFET具有良好的热稳定性，结合HVSOF-6封装的优良散热设计，可在高达+150°C的结温下安全工作，确保在持续大电流负载或高温环境下仍保持稳定性能。
该器件还具备较强的抗瞬态能力，包括较高的峰值电流承受能力和一定的雪崩能量耐受性，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。UPA1C332MHD6TN的栅极阈值电压范围为1.0V至2.0V，使其能够被3.3V甚至更低逻辑电平有效驱动，适用于现代低电压控制架构。此外，其体二极管具有相对较短的反向恢复时间（trr=28ns），有助于降低在同步整流或感性负载切换过程中产生的开关损耗和电磁干扰（EMI）。这些综合特性使该MOSFET成为高密度电源设计中的理想选择，特别是在需要兼顾效率、尺寸与成本的应用场景中表现出色。
UPA1C332MHD6TN主要用于各类中小型功率电源转换和管理电路中。常见应用场景包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的上电时序与电源隔离，防止浪涌电流影响系统稳定性。在DC-DC降压变换器（Buck Converter）中，该器件常被用作高端开关管或同步整流管，凭借其低导通电阻和快速开关特性，有效提升转换效率并减少发热。此外，它也适用于LED背光驱动电路、电池充电管理单元以及USB电源开关等需要精确控制电流路径的设计。由于其小型化封装和高集成度特点，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端产品中的空间受限布局。工业级温度范围支持使其也能应用于部分工业控制板卡或通信模块中，作为电源路径上的关键开关元件。无论是恒压输出还是动态负载调节系统，UPA1C332MHD6TN都能提供可靠的性能保障，并帮助工程师简化外围电路设计，降低整体BOM成本。
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"DMG2305U",
"AO3400",
"SI2302DS",
"FDS6680A",
"TPSMB1045"
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