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QS8M51TR 发布时间 时间:2025/4/28 17:36:27 查看 阅读:26

QS8M51TR 是一款高性能、低功耗的 8 位微控制器,基于经典的 8051 内核架构设计。该芯片具有丰富的外设资源和高效的指令集,适用于多种嵌入式应用场景。其工作电压范围宽广,支持工业级温度范围,能够满足复杂环境下的稳定运行需求。
  此外,QS8M51TR 集成了高精度 ADC、UART、SPI 和 I2C 等多种通信接口,使得它在消费电子、工业控制和物联网设备中表现出色。

参数

工作电压:2.0V - 5.5V
  内核:8051
  主频:最高 24MHz
  Flash 容量:64KB
  SAM 容量:4KB
  I/O 口数量:32
  ADC 分辨率:10 位
  工作温度:-40℃ 至 +85℃

特性

QS8M51TR 的主要特性包括:
  1. 高效的 8051 内核,兼容传统 8051 指令集,方便代码移植与开发。
  2. 提供多达 32 个可编程 I/O 引脚,支持多种输入输出模式,灵活配置。
  3. 内置高精度 10 位 ADC,最多支持 8 路模拟信号输入,适合数据采集场景。
  4. 支持 UART、SPI 和 I2C 等主流通信协议,便于与其他外设互联。
  5. 工作电压范围宽(2.0V - 5.5V),适应多种供电条件。
  6. 内部集成看门狗定时器和低功耗模式,有助于提高系统可靠性并降低功耗。
  7. 提供工业级温度范围(-40℃ 至 +85℃),确保在恶劣环境下稳定运行。
  8. 片上 Flash 和 SRAM 容量充足,分别达到 64KB 和 4KB,满足程序存储及运行需求。

应用

QS8M51TR 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品,如家用电器、玩具和遥控设备。
  2. 工业自动化控制,例如传感器数据采集、电机驱动和过程监控。
  3. 物联网终端节点,提供低功耗、高可靠性的嵌入式解决方案。
  4. 医疗设备,例如便携式健康监测装置。
  5. 电源管理模块,用于智能充电器或电池管理系统。
  由于其丰富的外设和强大的性能,QS8M51TR 成为多领域应用的理想选择。

替代型号

QS8M51TQ, QS8M51TA

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QS8M51TR参数

  • 现有数量37,395现货
  • 价格1 : ¥11.37000剪切带(CT)3,000 : ¥4.83815卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A,1.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)325 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.7nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)290pF @ 25V
  • 功率 - 最大值1.5W
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装TSMT8