DMN3065LW-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用小型的SOT26封装,适合需要高效率和紧凑布局的便携式电子产品和电源管理系统。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(VDS):-30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):-5A
导通电阻(RDS(ON)):85mΩ @ VGS = -10V;115mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散:1.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装:SOT26
DMN3065LW-7具有低导通电阻,可在低电压条件下提供高效的功率传输性能。其P沟道设计适用于高边开关应用,例如电池供电系统中的负载开关或电源切换。该器件支持高达-5A的连续漏极电流,能够在-30V的漏源电压下稳定工作,具备较高的电压容限。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围宽,支持-4.5V至-10V的驱动电压,便于与多种控制器或逻辑电路配合使用。
DMN3065LW-7的SOT26封装形式具有较小的占板面积,有利于节省PCB空间,适合用于高密度电路设计。同时,该器件具有良好的热稳定性,在高负载条件下也能维持较低的工作温度,从而提高系统的可靠性和使用寿命。其±20V的栅源电压耐受能力增强了在瞬态电压环境下的稳定性,减少了栅极击穿的风险。
该MOSFET的开关性能优异,具有较快的上升和下降时间,适用于高频开关应用。同时,其低栅极电荷(Qg)特性有助于降低驱动损耗,提高整体效率。这些特性使DMN3065LW-7成为理想的电源管理器件,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等多种应用场合。
DMN3065LW-7广泛应用于便携式电子设备、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路中。该器件特别适用于需要高效能和小尺寸封装的电池供电系统,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等。此外,它也可用于工业控制、通信设备和消费类电子产品的电源管理模块中。
Si4435BDY-T1-GE3, FDC6303L, NTR1P02XN