型号：QS6K21TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.7 A（在TC=25°C条件下）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：8.1 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻（RDS(on)）：33 mΩ（在VGS=4.5 V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：29 mΩ（在VGS=10 V时）
　　阈值电压（Vth）：0.6 V ~ 1.0 V
　　输入电容（Ciss）：330 pF（在VDS=10 V，VGS=0 V，f=1 MHz时）
　　输出电容（Coss）：160 pF
　　反向传输电容（Crss）：40 pF
　　栅极电荷（Qg）：6.5 nC（在VDS=10 V，ID=2.7 A，VGS=10 V时）
　　功耗（Ptot）：200 mW（在TA=25°C时）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

QS6K21TR采用ROHM先进的Trench结构MOSFET工艺，这种结构通过优化沟道设计显著降低了导通电阻，从而提升了器件的电流处理能力和能量转换效率。其典型的RDS(on)值仅为29mΩ（在VGS=10V时），意味着在相同的工作电流下，该MOSFET产生的焦耳热更少，有助于减小散热需求并提升系统紧凑性。该器件的阈值电压较低，通常在0.6V至1.0V之间，使其能够与低电压逻辑信号（如3.3V或甚至1.8V控制系统）良好兼容，适合用于微控制器直接驱动的开关应用。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容（Ciss）为330pF，栅极电荷（Qg）仅6.5nC，这使得它在高频开关操作中具有快速的开启和关断响应能力，减少了开关过程中的能量损耗。同时，较低的Crss（反向传输电容）有助于抑制米勒效应，防止因电压瞬变引起的误触发，增强了电路运行的稳定性。器件的最大漏源电压为20V，适用于12V及以下的低压电源系统，例如USB供电设备、移动电源、智能传感器节点和小型电机驱动等。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具有良好的热传导性能，在适当布局下可有效将热量传递至PCB焊盘进行散热。尽管其额定功耗为200mW，但在实际应用中可通过增加铜箔面积或使用多层板来提升散热能力，从而支持更高负载条件下的持续运行。此外，该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，表明其在恶劣环境下的耐用性和长期稳定性，适用于汽车电子中的辅助电源管理模块。
　　ROHM对QS6K21TR实施了严格的品质管控流程，确保批次一致性高，参数偏差小。其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，如同步整流或H桥驱动。总体而言，QS6K21TR是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的N沟道MOSFET，特别适合对空间、效率和成本敏感的设计需求。

QS6K21TR广泛应用于多种低电压、中等电流的开关电源和控制电路中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制电池到外设的供电通断，以实现节能和系统保护。在DC-DC转换器中，特别是降压型（Buck）拓扑结构中，该器件可用作同步整流开关，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。此外，它也适用于LED驱动电路，作为恒流调节或开关控制元件，提供稳定可靠的光源控制。
　　在电池管理系统（BMS）中，QS6K21TR可用于过流保护或充放电路径的通断控制，凭借其快速响应能力和低静态功耗，有助于延长电池使用寿命。该器件还常见于各类消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、无线耳机充电盒、智能手表等内部的电源管理单元。由于其SOT-23封装的小型化优势，非常适合高密度贴装的主板设计。
　　工业控制领域中，QS6K21TR可用于传感器供电切换、继电器驱动接口或小型执行机构的控制电路。在汽车电子中，虽然其电压等级有限，但仍可用于车身控制模块中的低边开关、车灯控制或车载信息娱乐系统的电源切换部分。此外，该MOSFET也可用于热插拔电路设计，防止上电瞬间的浪涌电流损坏后续电路。
　　得益于其良好的热稳定性和电气性能，QS6K21TR也被用于嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，作为微控制器I/O扩展后的功率驱动元件，实现对外部模块的精确控制。总之，凡是需要高效、小型化且成本可控的N沟道MOSFET解决方案的场合，QS6K21TR都是一个极具竞争力的选择。

DMG2305UX-7
　　SI2305DDS-T1-E3
　　FDC630N