DMP3098LSS-13是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点。这种器件广泛用于需要高效功率转换、负载切换和电机驱动的应用场景中。其封装形式为SOT-23-3L,适合紧凑型设计需求。
该器件在各种电子系统中发挥着关键作用,例如适配器、充电器、LED驱动器以及消费类电子产品中的电源管理模块。DMP3098LSS-13通过优化栅极电荷和导通电阻参数,实现了卓越的效率与热性能表现。
型号:DMP3098LSS-13
类型:N沟道MOSFET
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻,典型值):98mΩ
ID(连续漏电流):4.5A
Qg(总栅极电荷):7nC
VGS(th)(栅源开启电压):1.5V~3.5V
封装:SOT-23-3L
工作温度范围:-55℃至+150℃
DMP3098LSS-13具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可降低功耗并提升系统效率。
2. 小型化封装(SOT-23-3L),节省PCB空间,适用于对尺寸敏感的设计。
3. 高开关速度,得益于较小的栅极电荷,适合高频应用。
4. 宽工作温度范围(-55℃至+150℃),能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 良好的热性能,有助于提高长期可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
DMP3098LSS-13适用于多种应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和初级侧开关。
2. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
3. LED驱动器中的电流调节和调光控制。
4. 充电器和适配器中的功率转换模块。
5. 便携式设备中的电池管理单元。
6. 信号调节和电机驱动中的功率级元件。
由于其高效的特性和紧凑的封装,该MOSFET成为现代电子设备中不可或缺的关键组件。
DMN2990UFQ-13
DMP2008UFG-7
AO3400