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DMP3098LSS-13 发布时间 时间:2025/7/2 16:18:07 查看 阅读:5

DMP3098LSS-13是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点。这种器件广泛用于需要高效功率转换、负载切换和电机驱动的应用场景中。其封装形式为SOT-23-3L,适合紧凑型设计需求。
  该器件在各种电子系统中发挥着关键作用,例如适配器、充电器、LED驱动器以及消费类电子产品中的电源管理模块。DMP3098LSS-13通过优化栅极电荷和导通电阻参数,实现了卓越的效率与热性能表现。

参数

型号:DMP3098LSS-13
  类型:N沟道MOSFET
  VDS(漏源电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):98mΩ
  ID(连续漏电流):4.5A
  Qg(总栅极电荷):7nC
  VGS(th)(栅源开启电压):1.5V~3.5V
  封装:SOT-23-3L
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

DMP3098LSS-13具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可降低功耗并提升系统效率。
  2. 小型化封装(SOT-23-3L),节省PCB空间,适用于对尺寸敏感的设计。
  3. 高开关速度,得益于较小的栅极电荷,适合高频应用。
  4. 宽工作温度范围(-55℃至+150℃),能够在恶劣环境下稳定运行。
  5. 良好的热性能,有助于提高长期可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

DMP3098LSS-13适用于多种应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和初级侧开关。
  2. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
  3. LED驱动器中的电流调节和调光控制。
  4. 充电器和适配器中的功率转换模块。
  5. 便携式设备中的电池管理单元。
  6. 信号调节和电机驱动中的功率级元件。
  由于其高效的特性和紧凑的封装,该MOSFET成为现代电子设备中不可或缺的关键组件。

替代型号

DMN2990UFQ-13
  DMP2008UFG-7
  AO3400

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DMP3098LSS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 5.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds336pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)