型号：QS6K21 TR
　　封装类型：SOT-23
　　极性：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压Vds：60V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id（@25°C）：1.8A
　　脉冲漏极电流Idm：7A
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=10V）：≤0.21Ω
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=4.5V）：≤0.26Ω
　　阈值电压Vgs(th)：典型值1.2V，范围0.8V~2.0V
　　输入电容Ciss：约380pF（@Vds=25V）
　　输出电容Coss：约100pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容Crss：约40pF（@Vds=25V）
　　开启延迟时间td(on)：约10ns
　　关断延迟时间td(off)：约25ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C

QS6K21 TR具备优异的电气特性和稳定的热性能，能够在较宽的工作温度范围内保持可靠的开关操作。其低导通电阻设计显著降低了在导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率，尤其适用于对能耗敏感的应用场景，如移动设备和电池供电系统。该MOSFET的阈值电压较低，支持逻辑电平驱动，能够直接由微控制器或数字IC输出信号控制，无需额外的驱动电路，从而简化了设计复杂度并节省PCB空间。
　　器件的快速开关能力使其在高频开关应用中表现出色，有效减少开关过程中的能量损失，同时降低电磁干扰（EMI）的影响。SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，还具备良好的散热性能，通过合理的PCB布线可实现有效的热传导，避免局部过热导致的性能下降或器件损坏。此外，该MOSFET具有较高的栅极耐压能力（±20V），增强了对瞬态电压冲击的抵抗能力，提升了系统的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，QS6K21 TR采用先进的沟槽技术，优化了载流子迁移路径，进一步降低了导通电阻并提高了电流承载能力。器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于绿色环保电子产品。其高可靠性和长期稳定性经过严格测试验证，能够在恶劣环境条件下稳定运行，满足工业级和消费类电子产品的质量要求。

QS6K21 TR广泛用于各类低功率开关电路中，典型应用场景包括直流电机控制、继电器或负载开关驱动、LED调光与开关控制、电源多路复用及电池充放电管理等。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，常被用作电源路径切换开关或背光驱动元件，实现高效的能量管理。
　　在电源管理系统中，该MOSFET可用于同步整流、低压降稳压器（LDO）旁路控制或反向电流阻断功能，提升转换效率并防止电流倒灌。由于其支持逻辑电平驱动，也常见于微控制器I/O扩展电路中，作为外部负载的驱动接口，例如控制蜂鸣器、传感器模块或小型电磁阀。
　　此外，在通信设备、家用电器控制板以及工业自动化模块中，QS6K21 TR凭借其小尺寸和高可靠性，成为替代传统双极晶体管的理想选择。它也可用于过流保护电路中的电子保险丝（eFuse）设计，结合检测电阻与比较器实现快速切断功能，保护后级电路免受短路或浪涌电流损害。总体而言，该器件适用于所有需要小型化、高效率和高稳定性的N沟道MOSFET开关应用。

2N7002K, BSS138, FDN335N, AO3400, SI2302