时间：2025/8/14 23:59:55
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QRT1506D是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于高效率和高功率密度的设计需求。QRT1506D采用PowerFLAT 5x6封装，具有优异的散热性能，同时封装体积小，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：15A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：23nC（典型值）
最大功耗（Ptot）：45W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：PowerFLAT 5x6
QRT1506D具备出色的电气和热性能，其核心特性包括低导通电阻、高电流能力、快速开关特性以及高可靠性。首先，其导通电阻Rds(on)仅为22mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET能够承受高达15A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。此外，QRT1506D具有较低的栅极电荷（Qg=23nC），这有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。器件的PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，而且具有良好的热管理能力，使得在高功率密度设计中也能有效散热。QRT1506D还具备优良的雪崩能量承受能力，增强了器件在高应力工作环境下的可靠性与稳定性。这些特性共同确保了QRT1506D在各种电力电子系统中能够实现高效、稳定和持久的运行。
QRT1506D适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关或同步整流器使用，显著提升电源转换效率。在DC-DC转换器中，由于其低导通电阻和快速开关特性，QRT1506D能够有效降低能量损耗，提升系统性能。在负载开关或电池管理系统中，QRT1506D可用于实现高效的功率控制和保护功能。此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、电动工具、UPS（不间断电源）系统以及新能源设备（如太阳能逆变器）等对功率密度和效率要求较高的场合。
STL150N6F7
IPD150N6S4-03
FDMS86180
