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QRD1430T30 发布时间 时间:2025/8/7 1:13:14 查看 阅读:36

QRD1430T30是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的达林顿晶体管阵列集成电路。该器件集成了多个达林顿晶体管,适用于高增益和高电流驱动的应用场景。其设计旨在简化电路设计,提高系统的可靠性和效率,广泛应用于工业控制、继电器驱动、LED显示屏和电机控制等领域。

参数

类型:达林顿晶体管阵列
  集电极-发射极电压(Vce):30V
  集电极电流(Ic):500mA
  功率耗散:1W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:16引脚DIP

特性

QRD1430T30的核心优势在于其集成化的达林顿晶体管结构,提供了高电流增益和强大的负载驱动能力。该器件内部集成了多个晶体管,每个晶体管都可以独立工作,从而减少了外部电路的复杂性。此外,其高耐压能力(Vce为30V)使其适用于多种电源电压环境,而500mA的集电极电流能力则能够驱动大功率负载。
  该器件的另一个显著特点是其内置的保护功能,包括反向电压保护和过热保护,这进一步提高了系统的可靠性。封装形式为16引脚DIP,便于安装和使用,并且兼容标准的PCB布局设计。此外,QRD1430T30的低饱和电压特性减少了功率损耗,提高了能效,使其在高负载应用中表现尤为出色。

应用

QRD1430T30主要用于需要高电流增益和负载驱动能力的场合。例如,在工业自动化系统中,该器件可用于驱动继电器、电磁阀和小型电机。在LED显示屏中,QRD1430T30能够提供足够的电流以驱动高亮度LED,同时通过其高集成度简化电路设计。此外,它也常用于打印机、扫描仪等办公设备中的步进电机控制,以及电源管理系统中的开关控制。由于其可靠性和耐用性,该器件还被广泛应用于汽车电子系统和消费类电子产品中。

替代型号

[
   "ULN2003A",
   "ULN2004A",
   "MC1413"
  ]

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QRD1430T30参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)3.8V @ 300A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1mA @ 1400V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)177A
  • 电压 - (Vr)(最大)1400V(1.4kV)
  • 反向恢复时间(trr)300ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 包装散装