时间：2025/8/7 6:05:57
阅读：37
QRD1210T30是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合用于电源管理和电机控制等场景。
类型：MOSFET（N沟道增强型）
漏极-源极电压（Vds）：1200V
漏极-栅极电压（Vdg）：1200V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：30A（在Tc=25°C时）
脉冲漏极电流（Idm）：120A
导通电阻（Rds(on)）：最大80mΩ
工作温度范围：-55°C至+175°C
QRD1210T30 MOSFET采用了先进的沟槽技术，使其具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件的高雪崩能量能力确保了在极端条件下仍能保持稳定工作。此外，它还具备良好的热管理性能，能够在高温环境下可靠运行。其封装设计优化了散热性能，适合高功率密度应用。
这款MOSFET还具有出色的开关性能，快速的开关速度减少了开关损耗，提高了整体系统效率。由于其高栅极电荷（Qg）特性，它可以在高频操作中保持良好的性能。同时，该器件的封装形式（如TO-247）便于安装和散热，适合工业级应用环境。
QRD1210T30具备高短路耐受能力，可在短时间过载情况下不损坏，确保了系统的可靠性。它还具有低漏电流特性，有助于降低待机功耗。此外，该MOSFET的制造工艺符合环保标准，符合RoHS指令要求，适合绿色电子产品的设计需求。
QRD1210T30广泛应用于各种高功率电子设备，如工业电源、UPS（不间断电源）、逆变器、电机驱动器和电焊机等。它还可用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。由于其高耐压和大电流能力，它也适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统，例如服务器电源、电信设备电源和工业自动化设备。
IXFN30N120T2, FGH60N120LSD, FQA30N120C
