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QRD0640T30 发布时间 时间:2025/8/7 5:55:43 查看 阅读:29

QRD0640T30是一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT),由ON Semiconductor(安森美半导体)生产。这款器件是专为高功率应用设计的,结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性,从而实现了高效能的开关操作。QRD0640T30在电力电子领域中广泛应用于逆变器、电机驱动、电源转换系统以及工业自动化设备中。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:600V
  最大集电极电流:40A
  导通压降:典型值2.1V(在40A, 25°C)
  短路耐受能力:有
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247
  栅极驱动电压:+15V/-15V
  最大功耗:125W

特性

QRD0640T30具备一系列显著的特性,使其适用于高功率和高可靠性要求的应用场景。首先,该器件具有较高的短路耐受能力,这使其在负载突变或短路故障情况下能够保持稳定工作,从而提高了系统的安全性。其次,QRD0640T30的导通压降较低,在40A电流下典型值仅为2.1V,有助于降低导通损耗并提高效率。此外,该IGBT的封装形式为TO-247,这种封装不仅具备良好的散热性能,还便于在电路板上安装和维护。
  QRD0640T30的工作温度范围为-55°C至150°C,表明其能够在极端温度环境下可靠运行,适用于各种恶劣工作条件。栅极驱动电压范围为+15V/-15V,这使得该器件可以与多种栅极驱动电路兼容,从而简化了设计流程。最大功耗为125W,说明其具备良好的热管理能力,可以在高功率条件下长时间工作。
  此外,QRD0640T30还具有快速开关特性,其开关损耗较低,有助于提高整体系统的效率。这种特性对于需要频繁开关操作的应用(如逆变器和电机驱动器)尤为重要。同时,该器件的封装设计符合行业标准,确保了与其他元器件的兼容性。

应用

QRD0640T30广泛应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。其主要应用领域包括工业电机驱动、电源转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电焊设备。在这些应用中,QRD0640T30的高电流承载能力和优异的开关性能使其成为理想选择。
  在电机驱动应用中,QRD0640T30可以用于构建高性能的逆变器电路,从而实现对电机的精确控制。由于其具备较低的导通压降和快速的开关特性,这种IGBT能够有效降低系统的能量损耗,提高电机运行的效率。
  在电源转换器和不间断电源(UPS)应用中,QRD0640T30可用于构建高效的DC-AC或AC-DC转换电路。其高短路耐受能力和良好的热管理性能,确保了这些系统在高负载条件下能够稳定运行。
  在太阳能逆变器应用中,QRD0640T30的高效开关特性有助于提高太阳能系统的整体效率,同时其宽工作温度范围使其能够在户外环境中可靠运行。

替代型号

FGA40N60SQD、IRG4PC40UD、IKW40N60H3、STGY40N60DF2

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QRD0640T30参数

  • 标准包装3
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2.8V @ 400A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1mA @ 600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)136A
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 反向恢复时间(trr)110ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 包装散装