时间：2025/8/23 7:17:35
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QRD0610T30 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效能、高速开关以及高可靠性的应用场合。QRD0610T30 采用先进的 Trench 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，使其在高功率密度设计中表现优异。该器件采用 TO-252（DPAK）封装形式，适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑的 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：0.6Ω @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
QRD0610T30 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 0.45Ω，在 Vgs=4.5V 时为 0.6Ω，这使其适用于多种栅极驱动电压条件。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力（Id=10A），能够在中高功率应用中稳定运行。由于采用了先进的 Trench 工艺，QRD0610T30 在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗，提高了系统响应速度。
该器件的 TO-252 封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装技术，适用于自动化生产流程。此外，QRD0610T30 的栅极驱动电压范围较宽（最高 ±20V），允许设计者在不同电路环境中灵活使用。其工作温度范围广泛（-55°C 至 +175°C），可在恶劣环境条件下保持稳定性能，适用于汽车电子、工业控制等对可靠性要求高的应用场合。
QRD0610T30 广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效、高速开关的场合。典型应用包括直流-直流转换器（DC-DC Converter）、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其良好的导热性能和高可靠性，该器件也常用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、LED 照明驱动器以及便携式电源管理系统中。此外，在电动工具、电动自行车等小型电动设备中，QRD0610T30 可作为主功率开关使用。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDP6030L, IRLZ44N
