时间：2025/5/15 14:39:20
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HN1A01FU-GR,LF(T) 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛应用于高频、高效能功率转换领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和无线充电等应用。
这款芯片采用了先进的封装工艺以支持表面贴装（SMD）技术，并且满足无铅（Pb-Free）及符合RoHS标准的要求，使其在环保和可靠性方面表现出色。
类型：增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ
输入电容(Ciss)：940pF
输出电容(Coss)：65pF
反向传输电容(Crss)：35pF
栅极电荷(Qg)：35nC
工作温度范围：-40℃至+150℃
1. 采用氮化镓（GaN）材料制造，具备卓越的高频性能和低导通损耗。
2. 增强型设计，确保只有当栅极施加正电压时才导通，提升了使用的安全性。
3. 高效率和低开关损耗，特别适合高频应用环境。
4. 小尺寸封装，节省PCB空间并简化系统设计。
5. 符合RoHS标准，无铅封装，环保友好。
6. 具有优秀的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级元件。
2. DC-DC转换器，包括降压、升压和反激式拓扑结构。
3. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器和逆变器。
4. 工业电机驱动控制和伺服系统。
5. 快速充电适配器和无线充电设备。
6. 可再生能源系统中的功率转换模块，例如太阳能逆变器。
GaN Systems GS66508T, Transphorm TPH3206G
