时间：2025/8/15 0:04:29
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QR406是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供了卓越的导通电阻（RDS(on)）和开关性能，适用于高效率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。QR406具有高耐压能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：10A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.027Ω（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：30W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220、D2PAK
QR406 MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，使得其在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不发生性能退化。QR406还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小了外部元件的尺寸并提高了系统的功率密度。其高栅极阈值电压确保了在噪声环境中也能稳定工作，避免了误触发的可能性。此外，该器件的封装设计有助于散热，使得在高电流应用中也能保持较低的温度上升。
QR406常用于多种功率电子设备中，例如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统。其优异的性能使其成为需要高效率、高可靠性和高功率密度的理想选择。
IRFZ44N, FDP6030L, FDS6680, STP10NM60ND
