QPQ1903SR 时间：2025/8/15 8:35:57 阅读：20

QPQ1903SR 是一款由 Diodes 公司生产的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适合用于负载开关、电源转换器和电机控制等应用。QPQ1903SR 采用 8 引脚 SOIC 封装，便于安装和散热。

参数

类型：MOSFET
　　沟道类型：N 沟道
　　数量：2 个独立通道
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：5.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V，5.8A
　　栅极电压范围：-20V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOIC-8

特性

QPQ1903SR 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其 RDS(on) 值在 VGS=10V 时仅为 28mΩ，这对于高电流应用场景尤为重要。此外，QPQ1903SR 采用先进的沟槽 MOSFET 技术，优化了电场分布，降低了导通损耗，同时提高了器件的可靠性。
　　该器件的封装设计使其在高电流工作条件下具有良好的散热性能，确保长时间运行的稳定性。QPQ1903SR 还具有较高的热稳定性，能够在较高温度环境下正常工作，适用于车载电子、工业控制和电源管理等要求严苛的应用场景。
　　QPQ1903SR 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极电压输入，这使得它可以与多种控制器和驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。此外，其内置的体二极管能够有效抑制反向电流，保护器件免受损坏。

应用

QPQ1903SR 主要用于各种需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。在 DC-DC 转换器中，QPQ1903SR 可作为主开关器件，提供高效的电压转换能力。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为同步整流器的理想选择，能够显著降低功率损耗，提高转换效率。
　　在负载开关应用中，QPQ1903SR 可用于控制电源的通断，适用于电池供电设备、服务器电源和工业控制系统等场景。其高可靠性确保在频繁开关操作下仍能保持稳定性能。
　　此外，QPQ1903SR 也可用于电机驱动和 LED 照明系统中，作为高效的功率开关器件。在电机控制电路中，它能够承受较大的启动电流，并提供快速的开关响应，确保电机运行平稳。在 LED 照明应用中，QPQ1903SR 可用于调光控制和电流调节，提高照明系统的能效和寿命。