类型：NPN 型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：125V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：15A
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-247

QPQ1040QTR13 晶体管具有多项优异特性，使其适用于高功率和高频应用。首先，其高集电极-发射极电压（VCEO）为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于需要高压操作的电路。其次，最大集电极电流（IC）可达 15A，支持大电流工作，适合功率放大器的设计。该器件的功耗（PD）为 150W，具备良好的热管理能力，能够在高负载条件下稳定运行。此外，QPQ1040QTR13 的过渡频率（fT）为 100MHz，能够在射频范围内提供较高的增益，适用于 RF 放大器和中功率开关电路。其 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率工作下的可靠性。晶体管的增益（hFE）通常在 40 至 150 之间，根据不同的工作电流条件可提供稳定的放大性能。QPQ1040QTR13 还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于减少功率损耗并提高整体效率。这款晶体管在高温环境下依然能够保持稳定的工作特性，适用于工业自动化、通信设备、音频功率放大器等要求较高的应用场景。
　　此外，QPQ1040QTR13 具备良好的抗热震性能和高可靠性，符合 RoHS 环保标准，适合用于环保型电子设备。其封装设计便于安装在散热器上，进一步提升其在高功率应用中的热管理能力。对于需要高可靠性和高性能的电路设计来说，QPQ1040QTR13 是一个理想的选择。

QPQ1040QTR13 晶体管广泛应用于多个高功率和高频领域。其主要应用包括射频功率放大器、音频功率放大器、开关电源、电机驱动电路、工业自动化控制系统以及无线通信设备。在射频应用中，该晶体管能够作为中功率放大器，提供稳定的高频信号放大功能，适用于广播发射器、无线基站和测试仪器。在音频放大领域，QPQ1040QTR13 常用于功率放大模块，提供高保真音频输出。此外，该器件还可用于直流-直流转换器和逆变器等电源管理电路中，实现高效的能量转换。

MJ15024G, TIP142, 2SC3917, 2SD1456