时间：2025/8/25 0:27:46
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QPF7N65C是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的平面工艺制造，具有高可靠性和优异的热稳定性，适用于各类高电压、中高电流的应用场景。其额定电压为650V，最大连续漏极电流可达7A，是中功率开关电源、LED驱动器、电机控制和消费类电子设备中的常用器件。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：7A（25℃）
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TO-220、DPAK等
功率耗散（Pd）：50W
阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
QPF7N65C采用了先进的平面工艺，具备良好的导通性能和较高的击穿电压耐受能力。其导通电阻较低，在高温工作环境下仍能保持稳定的导通状态，从而降低了功率损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具有较强的过载和短路保护能力，能够在突发故障情况下维持一定的工作稳定性，从而提升整体系统的可靠性。
在封装方面，QPF7N65C通常采用TO-220或DPAK等标准封装形式，便于散热和安装，适用于多种PCB布局需求。其结构设计优化了热阻，有助于快速散热，确保在高负载下仍能维持较低的工作温度。
QPF7N65C的栅极驱动特性较为友好，适用于常见的驱动电路设计，无需复杂的驱动芯片即可实现高效开关操作。这使其在开关电源、DC-DC转换器、照明驱动器等应用中表现出色。
QPF7N65C常用于各类中高功率电源设备中，如AC-DC开关电源、LED恒流驱动器、适配器、充电器、电机控制器以及家电电源模块等。其高耐压和中等电流能力使其成为中小功率电源变换器的理想选择，尤其适用于需要高效率和长寿命的工业及消费类电子产品中。
7N65, FQP7N65C, STF7NM65FD, IRF7N65FD1
