QPD2018D 时间：2025/8/15 17:53:27 阅读：3

QPD2018D 是一款由 Qorvo 公司制造的高功率 GaN（氮化镓）射频功率晶体管，广泛应用于无线基础设施、蜂窝通信、广播系统以及其他需要高线性度和高效率的射频放大器场合。该器件采用先进的 GaN 技术，具有出色的功率密度、热性能和可靠性，适用于 1.8 GHz 至 2.2 GHz 的频率范围。QPD2018D 采用 16 引脚表面贴装封装，便于集成到现代射频系统中。

参数

工作频率：1.8 GHz 至 2.2 GHz
　　漏极电压（Vd）：最大 30 V
　　输出功率：典型值 18 W
　　增益：典型值 14 dB
　　效率：典型值 55%
　　封装类型：16 引脚表面贴装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

QPD2018D 是一款基于 GaN 技术的高性能射频功率晶体管，具有优异的线性度和效率，适用于现代通信系统中的高功率应用。其高效率特性使其在高功率输出时保持较低的功耗，减少了对散热系统的要求，从而降低了系统设计的复杂性和成本。此外，该器件具有出色的热管理和可靠性，可在高温环境下稳定工作，适用于基站、无线接入点、广播设备等应用场景。
　　QPD2018D 的封装设计优化了热传导性能，确保在高功率操作下的稳定性。其宽频率响应使其适用于多种射频放大需求，包括 LTE、WiMAX、DVB-T 等无线通信标准。此外，该器件具有良好的互调失真（IMD）性能，有助于提升系统的信号质量并降低误码率。
　　在使用 QPD2018D 时，设计人员可以利用其高线性度和高增益特性来简化射频放大器的设计，同时实现更高的系统性能。其高耐压能力和良好的热稳定性也使其适用于高负载条件下的长时间运行。