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MB87R1380 发布时间 时间:2025/8/8 18:22:33 查看 阅读:29

MB87R1380 是由富士通(Fujitsu)推出的一款高性能、低功耗的16位静态随机存取存储器(SRAM)芯片,专为高速数据存储和可靠操作而设计。该芯片具有高速访问时间、宽工作温度范围和低功耗特性,适用于工业控制、通信设备、网络设备和嵌入式系统等高要求应用场景。

参数

容量:128K x 16位
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns(最大)
  封装形式:54引脚 TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:54-TSOP
  接口类型:并行接口
  最大工作频率:约18MHz
  输入/输出电平:CMOS兼容

特性

MB87R1380 是一款高性能的SRAM芯片,具备出色的访问速度和稳定性。其55ns的访问时间使得它能够在高速数据处理系统中可靠运行。芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了在不同电源条件下的适应性。此外,该器件具有低待机电流特性,有助于在低功耗应用中节省能耗。MB87R1380采用54引脚TSOP封装,便于在紧凑型设计中使用,且符合工业级温度范围要求(-40°C至+85°C),适用于严苛的工业和通信环境。
  该SRAM芯片还具备高速并行接口,支持快速的数据读写操作,适合用于缓存、帧缓冲器、数据缓冲器等需要高速访问的应用场景。其CMOS兼容输入/输出电平使其能够轻松与多种控制器和处理器接口连接,增强了系统的兼容性和设计灵活性。
  MB87R1380在设计上采用了先进的CMOS工艺,确保了高可靠性和长期稳定性,广泛用于网络设备、通信模块、嵌入式系统以及工业控制设备中。对于需要稳定存储、高速访问和低功耗运行的应用,MB87R1380是一个理想的选择。

应用

MB87R1380 主要用于以下领域:工业控制系统、网络设备、通信模块、嵌入式系统、数据缓冲器、图像处理设备、高速缓存存储器、测试与测量仪器等。

替代型号

CY62148EVLL-45ZE、IS61LV12816-55BLL、IDT71V128SA70PFG

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