QPD1026L 时间：2025/8/15 11:09:01 阅读：7

QPD1026L 是由 Qorvo 公司生产的一款高功率 GaN（氮化镓）射频晶体管，适用于宽带射频功率放大器应用。该器件采用先进的 GaN 技术制造，具有高效率、高线性度和高可靠性，适用于多种无线通信和军事应用。QPD1026L 是一个理想的解决方案，用于 L 波段至 S 波段的高功率射频放大器。

参数

工作频率范围：1.8 GHz 至 2.2 GHz
　　输出功率：125 W（典型值）
　　效率：超过 65%
　　增益：18 dB（典型值）
　　工作电压：28 V
　　封装类型：螺栓式金属封装
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

QPD1026L 具有出色的性能和耐用性，适合在高功率射频环境中使用。该晶体管在设计上优化了线性度和效率，使其成为宽带射频放大器的理想选择。QPD1026L 使用 GaN 技术，提供更高的功率密度和更好的热管理性能，从而延长器件寿命并提高可靠性。此外，QPD1026L 的宽带设计使其能够在多个频段上运行，从而提供更高的灵活性和多功能性。这种晶体管还具有高抗失真能力，适合用于现代通信系统中的高数据速率传输。