时间：2025/10/31 16:12:15
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BZX84C4V3TS-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号齐纳二极管，专为精密电压参考和电路保护应用设计。该器件采用SOD-323（SC-76）小型封装，适合对空间要求较高的便携式电子设备和高密度PCB布局。其标称齐纳电压为4.3V，在额定测试电流下具有稳定的电压调节性能，适用于低功率稳压场景。该齐纳二极管采用平面玻璃钝化技术制造，确保了良好的长期稳定性和可靠性。BZX84C4V3TS-7-F符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及各类模拟电路中。该器件在正常工作条件下可提供精确的反向击穿电压，用于钳位过压、提供基准电压或实现电平转换功能。由于其快速响应特性和低动态电阻，能够在瞬态电压事件中有效保护敏感元件。此外，该型号采用卷带包装（tape and reel），便于自动化贴片生产，提升了大规模制造的效率。
器件类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-323（SC-76）
齐纳电压（Vz）：4.3V @ 5mA
齐纳阻抗（Zzt）：90Ω 最大值 @ 5mA
最大耗散功率：200mW
反向漏电流（Ir）：1μA 最大值 @ 1V
温度系数：+5mV/°C（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
标称齐纳电流（Iz）：5mA
最大峰值脉冲功率：可承受一定瞬态过载
极性：单齐纳
安装类型：表面贴装
BZX84C4V3TS-7-F具备优异的电压稳定性和温度特性，其核心优势在于在小尺寸封装下实现了可靠的电压钳位能力。该器件的齐纳击穿机制基于掺杂硅PN结的受控反向击穿，能够在指定电流范围内维持输出电压的恒定。在5mA测试电流下，其标称齐纳电压为4.3V，偏差控制在±5%以内，满足大多数中等精度电压参考需求。该二极管的动态阻抗较低，典型值为90Ω，有助于减少因负载变化引起的电压波动，提升系统稳定性。此外，其正向导通电压约为0.6V至0.7V，与标准硅二极管一致，可在双向保护电路中同时提供正向和反向过压防护。
该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的长期运行。其温度系数为正值约+5mV/°C，意味着随着温度上升，齐纳电压略有增加，这一特性在设计热补偿电路时需加以考虑。为了优化功耗管理，BZX84C4V3TS-7-F的最大连续功率耗散为200mW，在自由空气环境中可通过PCB焊盘进行适度散热以延长使用寿命。该器件还表现出极低的反向漏电流，在1V反向偏压下最大仅为1μA，避免了在待机或低功耗模式下产生显著静态损耗。
SOD-323封装不仅体积小巧（典型尺寸约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），而且具有良好的机械强度和焊接可靠性，适用于回流焊和波峰焊工艺。该封装形式引脚间距为0.65mm，便于自动化贴片设备拾取与放置。作为工业级元器件，BZX84C4V3TS-7-F通过了AEC-Q101等可靠性认证（视具体批次而定），确保在汽车电子、工业控制等领域中的耐用性。其制造过程遵循ISO9001质量管理体系，保证批次间参数一致性，降低生产调试难度。
BZX84C4V3TS-7-F广泛应用于需要小型化、高可靠性的电压参考与保护电路中。常见用途包括为低电压模拟前端提供稳定基准源，例如在ADC或DAC的输入调理电路中用作限幅器，防止信号超量程损坏后续器件。在电源轨监控电路中，它可与其他分立元件配合构成简单的过压检测网络。该器件也常用于接口保护，如USB、I2C、GPIO等数字信号线的静电放电（ESD）防护和瞬态电压抑制，虽然其功率处理能力有限，但在低能量干扰场景下足以起到缓冲作用。
在电池供电设备中，BZX84C4V3TS-7-F可用于构建简易稳压电路，特别是在3.3V或5V逻辑系统中为传感器、放大器或其他微功耗模块提供局部稳压。此外，在反馈控制环路中，它可以作为误差检测元件的一部分，参与电压采样与比较。由于其响应速度快，亦适合用于脉冲信号整形或电平钳位应用，例如将浮动信号限制在安全范围内以匹配MCU输入电平。在音频电路中，该齐纳二极管可用于消除偶发性尖峰噪声，提升音质纯净度。
该器件还被广泛用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和智能家居终端，承担内部子系统的电压钳位与防反接保护功能。在工业自动化领域，它可用于PLC模块、传感器接口板和远程IO单元中的信号调理环节。此外，在汽车电子系统中，尽管非车规级版本不推荐用于关键安全部件，但该器件仍可用于信息娱乐系统、车身控制模块等次级电路中执行电压箝位任务。其紧凑尺寸和兼容主流贴片工艺的特点，使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
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"MMBZ5226BL",
"PMBZ5226B,115",
"SZBZT52C4V3",
"ZMM4V3",
"SMBZ5226B"
]
