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QPD1025 发布时间 时间:2025/8/15 8:02:43 查看 阅读:25

QPD1025 是一款由 Qorvo 公司推出的高功率 GaN(氮化镓)场效应晶体管(FET),广泛应用于射频功率放大器领域,特别是在无线基础设施和基站设备中。该器件基于 GaN 技术,具备出色的高频性能、高效率和高输出功率能力,非常适合用于 4G LTE、5G 通信系统以及雷达和测试设备。QPD1025 采用先进的封装技术,以确保良好的散热性能和长期可靠性。

参数

工作频率:2.3 GHz - 2.7 GHz
  输出功率:65 W(典型值)
  漏极电压:28 V
  工作电流:2.5 A(典型值)
  增益:12 dB(典型值)
  效率:大于 60%
  输入驻波比(VSWR):2.5:1(最大)
  封装形式:SMD(表面贴装)
  热阻(Rth):0.35 °C/W
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C

特性

QPD1025 是一款高性能射频功率晶体管,其核心优势在于采用了 GaN 半导体技术,具备优异的功率密度和高频性能。该器件能够在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内提供高达 65 W 的输出功率,适用于多种通信标准和应用场景。其高效率(超过 60%)意味着在运行过程中能有效降低功耗,减少散热需求,从而提高系统整体能效。
  此外,QPD1025 采用了 28 V 的漏极电压供电,工作电流仅为 2.5 A,使得其在高功率输出的同时保持较低的功耗。其增益为 12 dB,能够满足多数射频放大需求。器件的输入驻波比(VSWR)最大为 2.5:1,表明其具有良好的匹配性能,适用于多种射频前端设计。
  封装方面,QPD1025 采用 SMD(表面贴装)封装形式,便于自动化生产和系统集成。其热阻为 0.35 °C/W,表明其具有良好的热管理能力,能够在高功率条件下保持稳定运行。该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C,适用于各种严苛环境下的应用。

应用

QPD1025 主要用于无线通信基础设施,包括 4G LTE 和 5G 基站的射频功率放大器模块。其高功率输出和高效能特性使其成为多载波 GSM、W-CDMA、LTE 和 5G NR 系统中理想的选择。此外,QPD1025 还可用于雷达系统、测试与测量设备、工业加热设备以及广播发射机等需要高功率射频放大的场合。由于其具备良好的频率响应和稳定性,QPD1025 也适用于需要宽频带操作的系统。

替代型号

QPD1010, QPD1015

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