QPD1025 时间：2025/8/15 8:02:43 阅读：38

QPD1025 是一款由 Qorvo 公司推出的高功率 GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET），广泛应用于射频功率放大器领域，特别是在无线基础设施和基站设备中。该器件基于 GaN 技术，具备出色的高频性能、高效率和高输出功率能力，非常适合用于 4G LTE、5G 通信系统以及雷达和测试设备。QPD1025 采用先进的封装技术，以确保良好的散热性能和长期可靠性。

参数

工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：65 W（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　工作电流：2.5 A（典型值）
　　增益：12 dB（典型值）
　　效率：大于 60%
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　封装形式：SMD（表面贴装）
　　热阻（Rth）：0.35 °C/W
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

QPD1025 是一款高性能射频功率晶体管，其核心优势在于采用了 GaN 半导体技术，具备优异的功率密度和高频性能。该器件能够在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内提供高达 65 W 的输出功率，适用于多种通信标准和应用场景。其高效率（超过 60%）意味着在运行过程中能有效降低功耗，减少散热需求，从而提高系统整体能效。
　　此外，QPD1025 采用了 28 V 的漏极电压供电，工作电流仅为 2.5 A，使得其在高功率输出的同时保持较低的功耗。其增益为 12 dB，能够满足多数射频放大需求。器件的输入驻波比（VSWR）最大为 2.5:1，表明其具有良好的匹配性能，适用于多种射频前端设计。
　　封装方面，QPD1025 采用 SMD（表面贴装）封装形式，便于自动化生产和系统集成。其热阻为 0.35 °C/W，表明其具有良好的热管理能力，能够在高功率条件下保持稳定运行。该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C，适用于各种严苛环境下的应用。

应用

QPD1025 主要用于无线通信基础设施，包括 4G LTE 和 5G 基站的射频功率放大器模块。其高功率输出和高效能特性使其成为多载波 GSM、W-CDMA、LTE 和 5G NR 系统中理想的选择。此外，QPD1025 还可用于雷达系统、测试与测量设备、工业加热设备以及广播发射机等需要高功率射频放大的场合。由于其具备良好的频率响应和稳定性，QPD1025 也适用于需要宽频带操作的系统。