类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5.0A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ 10V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8 / TSSOP

CT230402具备多项优异的电气和热性能特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。
　　首先，CT230402的低导通电阻（Rds(on)）是其最显著的特性之一，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提升整体系统的效率。其Rds(on)在VGS=10V时仅为35mΩ，而在VGS=4.5V时也能维持在45mΩ以下，这使得它不仅适用于高栅极电压驱动电路，也适合于低电压微控制器驱动的应用场景。
　　其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达5A，适用于中等功率的开关和负载控制任务。同时，其漏源电压最大值为30V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适应不同的电源设计需求。
　　此外，CT230402采用了先进的硅工艺和封装技术，具有良好的热稳定性。其封装形式（如SOP-8或TSSOP）设计有助于有效的热量散发，防止因过热而导致的性能下降或器件损坏，从而提升系统的可靠性和寿命。
　　CT230402的栅极电荷（Qg）为12nC，这一参数表明其在高频开关应用中具有较快的响应速度和较低的开关损耗。这使其适用于开关电源（SMPS）、同步整流、DC-DC转换器等高频操作场景。
　　最后，CT230402的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备较强的环境适应能力，可在工业级和汽车级环境中稳定运行。

CT230402因其优异的性能被广泛应用于多个领域。
　　在电源管理方面，CT230402常用于DC-DC转换器中的高边或低边开关，能够有效提升转换效率并减少热量产生。在同步整流电路中，它也被用于替代传统二极管以降低压降损耗。
　　在电机驱动系统中，CT230402可用于H桥结构中的开关元件，实现对直流电机或步进电机的高效控制。其低导通电阻和高电流容量使其在电动工具、机器人和自动化设备中表现优异。
　　此外，CT230402还被广泛应用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电控制开关，帮助实现更安全和高效的电池管理。在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，它也常用于负载开关和电源切换电路。
　　在汽车电子领域，CT230402可应用于车载充电器、LED驱动器和车身控制模块中，满足汽车系统对可靠性和效率的高要求。

Si2304DS, AO3400A, FDS6679, NTD4859N